P型微晶硅氧薄膜光电性能研究

本工作采用甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了P型微晶硅氧窗口层薄膜,讨论了P型微晶硅氧的光电特性随硼烷掺杂率的变化.采用紫外-可见透射光谱,拉曼光谱,傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR),暗电导测量对薄膜的光电特性进行了表征.结果表明,P型微晶硅氧材料均表现为微晶态,随着硼烷掺杂率增加,晶化程度逐步降低,暗电导率快速减小,光学带隙持续降低.该结果可归因于硼烷掺杂的增加抑制晶化使得非晶成分增多,有效掺杂率降低导致薄膜电导率下降,另一方面,对硅氧物相分离的阻碍作用导致薄膜带隙下降.硼烷掺杂率为0.4;样品的电导率高达0.158 S/cm且光学带隙为2.2 eV,兼具高透射性和良好电导率,可作为高效硅基太阳电池的窗口层.     

表面补偿的高雾度ZnO∶Al及其在硅薄膜太阳电池中的应用

采用稀盐酸对磁控溅射法制备的平面掺铝氧化锌(ZnO∶Al,AZO)薄膜表面进行湿法刻蚀制绒,分析了盐酸浓度和刻蚀时间对AZO薄膜表面的形貌特征和光电特性的影响。研究发现,湿法刻蚀导致AZO薄膜表面呈现大尺度的陨石坑形貌特征,随刻蚀时间增加,薄膜在大于500 nm的长波范围内光学透过率可维持在70%~75%,且800nm处雾度值可高达48%,陷光能力快速增加,而面电阻率呈现逐渐增加趋势。高的盐酸浓度可以导致薄膜表面呈现较快凹型形貌特征,并可给出较高的雾度值。为了在保持高雾度值的条件下改善薄膜导电性,在2%盐酸刻蚀30 s所制备绒面沉积300 nm AZO薄膜进行厚度补偿,所获得薄膜的表面方块电阻小于10Ω/sq,以其作为前电极所制成的单结薄膜电池转换效率达到9.24%。结果表明,采用酸性刻蚀+厚度补偿方法所制备的绒面AZO薄膜可兼顾高雾度和低电阻的性能要求,是用作硅基薄膜太阳电池前电极的理想材料。     

催化十二烷基苯磺酸钠-溴化钾-亚甲基蓝褪色光度法测定痕量锌

1　引　　言实验表明 ,在ｐＨ =5 .95弱酸性和 1 0 0± 2℃加热 3 0ｍｉｎ的条件下 ,Ｚｎ2 + 能催化十二烷基苯磺酸钠 (ＤＢＳ) 亚甲基蓝(ＭＢ) 溴化钾褪色反应 ,据此建立了催化十二烷基苯磺酸钠 溴化钾 亚甲基蓝褪色光度法测定痕量锌的新方法。探讨了催化反应的动力学参数。本方法的灵敏度高 (检出限 4 .0ｎｇ Ｌ) ,精密度好 ,选择性与重现性均佳 ,操作简便 ,已用于奶粉和人发中痕量锌的测定。2　实验部分2 .1　主要试剂与仪器　Ｚｎ2 + 工作液 :取 1 .0 0ｇ ＬＺｎ2 + 基准试剂 ,用水逐级稀释成 1 0 .0 μｇ Ｌ ;1 .0× 1 0 - 3ｍｏｌ …