电弧等离子体激发温度的测量

电弧等离子体温度一般为4000℃～10000℃,测量这样高的温度,目前仍然是一项重要的科研课题.进行高温的测量方法很多,如分子带状光谱法、光谱线多普勒宽度法、光谱线相对强度法、散射法、声速法、巴脱尔斯方法等.我们在近代物理实验中开出此实验,其目的是让学生掌握一种测量高温的方法,同时在实验过程中得到科学方法与实验技能的训练.经过二年级的教学实践,取得了较为满意的结果.     

AlO电子光谱带系振动结构的研究

在高校的近代物理实验中双原子分子光谱的实验,多用CO、C_2放电管作为光源,或用纯碳棒在空气中激发而产生CN光谱。前者曝光时间较长,后者谱带较少。我们用纯铝棒在空气中用交流电弧光源激发,在可见光波段得到AlO的带状光谱,使用小型棱镜摄谱仪用于实验教学,效果较好。 AlO双原子分子在3000K—4000K形成,因此,Coheur F.P.等人曾利用AlO带状光谱来测量电弧温度。西德气体放电光谱学专家W.Lochte-Holtgreven于1980年在复     

生长气氛和速度在金红石(TiO2)单晶体生长中的作用研究

本文研究了生长气氛和生长速度在焰熔法金红石单晶体生长中的作用,对比了晶体在空气中与在氧气中退火的结果,测定了晶体试样的摇摆曲线和透过率.研究表明:金红石单晶体的生长受炉膛气氛、生长界面温度和生长速度的影响;炉膛气氛决定晶体能否形成,是关键因素;炉膛气氛中的氧分压大于液固界面(即生长界面)处熔体的氧离解压是生长完整晶体的前提条件;晶体在退火过程中消除热应力,但更重要的是通过氧化反应消除氧空位,在氧气氛中退火,可明显缩短退火时间.在所优化的实验条件下制备的晶体,完整性较好,透过率为70～72;,与商用晶体的透过率基本一致.     

SrTiO3单晶体生长过程中的溢流问题

本文以氯化锶和氯化钛为原料,采用控制水解法制备SrTiO3原料粉末,使用焰熔法生长了SrTiO3单晶体.晶体生长参数为:原料粉末粒度为-200+250目,炉膛气氛的氢氧比H/O为6.00,生长速度为12mm/h,获得了直径30mm,长60mm的单晶.晶体生长过程中,晶体顶部熔体的溢流是妨碍获得大尺寸完整晶体的一个最主要的问题.本文详细讨论了SrTiO3单晶体生长过程中的溢流的成因和解决办法.     

大尺寸金红石(TiO2)单晶体生长条件的实验研究

采用高纯(99.995;)、超细的金红石(TiO2)粉末为起始原料,用燃熔法制备了尺寸为30mm×50mm的金红石(TiO2)单晶体.讨论了生长气氛、生长速度、温度梯度在晶体生长中的作用,对比了晶体在空气中与在氧气中退火的结果,测定了晶体试样的摇摆曲线和透过率,并与商用晶体的透过率进行了比较.实验表明:生长气氛中的氧分压大于液固界面(即生长界面)处熔体的氧离解压是生长完整晶体的必要条件;在此条件下,能否生长为大尺寸晶体则取决于炉膛的轴向温度梯度;晶体在退火过程中可消除热应力,但退火更重要的作用是通过氧化反应消除氧空位,在氧气氛中退火,可明显缩短退火时间;所制备的晶体完整性较好,透过率与商用晶体基本一致.