CT引导立体定向治疗高血压脑出血及护理

高血压脑出血病人病情重 ,并发症多 ,死亡率高 .虽然近年来各种新技术不断开展 ,但其死亡率仍高达 2 5%～ 40 % [1 ] .我院自开展ＣＴ引导立体定向血肿碎吸加尿激酶血肿腔引流术治疗高血压脑出血手术以来 ,取得了较好的效果 .1　临床资料1 .1一般资料本组共 40例 ,男性 2 5例 ,女性 1 5例 ,平均年龄 58.2岁 .2 8例有明确高血压病史 ,不规则服用降压药 .入院时意识状态 (ＧＣＳ计分 ) :<7分 6例 ,8～ 1 1分 1 3例 ,1 2～ 1 5分 2 1例 .部位 :位于壳核 2 6例 ,丘脑 6例 ,皮层下 7例 ,小脑 1例 ,破入一侧脑室 9例 ,破入双侧脑室 4例 .血肿体积 …     

有效介质近似在Cu-MgF2复合纳米颗粒薄膜光学性质中的适用性研究

采用射频磁控共溅射技术制备了Cu体积分数分别为15%和30%的Cu-MgF2复合纳米颗粒薄膜。透射电镜形貌图像表明,薄膜由不同形状的Cu晶态纳米微粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2陶瓷基体中构成。用椭偏光谱技术计算得到Cu-MgF2复合薄膜在270~830 nm波段的光学常数谱。用考虑颗粒形状效应的有效介质近似计算得到Cu-MgF2复合薄膜在相同波段的光学常数谱。把两样品的透射电镜形貌图像与光学常数理论谱、实验谱相结合,分析讨论了Cu-MgF2复合薄膜的光学特性。结果表明:去极化因子取值0.33的麦克斯韦噶尼特(Maxwell-Garnett)模型可以较好地解释Cu体积分数为15%的Cu-MgF2复合薄膜的光学性质,而去极化因子取值0.6的布鲁格曼(Bruggeman)模型可以较好地解释Cu体积分数为30%的Cu-MgF2复合薄膜的光学性质。     

星状VO2纳米结构的制备及电化学性能研究

以草酸和五氧化二矾为原料,通过水热法制备出电化学性能优异的星状VO2纳米材料.应用X-射线衍射仪(XRD)、X-射线光电子能谱仪(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)等设备分别对样品的物相、元素组成及价态和形貌进行表征.电化学结果显示,星状VO2纳米结构在0.2 A· g-1的电流密度下,其比电容高达574.75 F· g-1,且能量密度为51.09 Wh· kg-1.经过4250次循环充放电后,星状VO2比电容仍保持90.2;,表现出极高的电容性能.     

薄膜/基片系统红外透射光谱振荡现象的研究

在研究用射频磁控共溅射法制备的不同体积含量的Au-MgF2纳米金属陶瓷复合薄膜/Si基片系统的红外光谱特性时发现:薄膜的红外光谱存在振荡现象,同时在振荡的红外光谱中出现明显的包络线,这些现象对薄膜的光学特性分析带来一定困难。定性和定量分析表明这两种现象均由光透过基片产生的多光束干涉引起,并给出了消除此现象的方法。     

二氧化钒/泡沫镍—体化电极材料的制备及其电化学特性研究

采用五氧化二钒,草酸和泡沫镍作为原料,经一步水热反应法,成功制备出二氧化钒/泡沫镍一体化电极.X-射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)用来表征二氧化钒/泡沫镍电极材料的物相和形貌.结果显示,当草酸浓度为0.1 mol·L-1时,制备的二氧化钒具有纳米片状结构,其厚度为80 ～ 140 nm.电化学结果显示,二氧化钒/泡沫镍一体化电极材料,其比电容高达3.99 F·cm-2(在电流密度为1 mA·cm-2),这是由于生长在泡沫镍上片状二氧化钒具有高的比表面积.经过2000次的循环后,二氧化钒/泡沫镍电极的比电容仅损失9.95;,显示很好的循环稳定性.