0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3薄膜的MOSD+Dipping制备

采用MOSD+Dipping方法在P型Si(111)衬底上制备了0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3薄膜.用X射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性.用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌.同时还研究了薄膜的存储性能.     

金属有机分解法制备无铅K0.5Bi0.5TiO3铁电薄膜

采用金属有机分解法(MOD)在p型Si(111)衬底上制备了K0.5Bi0.5TiO3(KBT)薄膜.用X射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性.同时还研究了薄膜的绝缘性和存储性能.结果发现在740°C下退火4min的KBT薄膜呈钙钛矿结构;在0～8V范围内,薄膜的漏电流小于1.5×10-9A;在-12～+8V的偏压范围内,C-V记忆窗口宽度为10V.     

钨酸铅纳米晶的制备及其发光性能研究

用沉淀法制备了钨酸铅纳米晶.对制备的钨酸铅纳米晶做了X射线和透射电镜分析,结果显示在100℃烘干后,样品已经结晶良好,晶粒度在10～20nm之间.将其在不同温度下退火后,用荧光谱仪测量了其发光光谱,结果显示其有蓝色、绿色和红色三组主要的发光峰.     

具有准同型相界(MPB)组成的化合物(Sr1-x Bax)2NaNb5O15的晶体生长及性质研究

用Czochralski方法生长出铁电钨青铜型单晶(Sr1-xBax)2NaNb5O15(简称SBNN),晶体沿c轴方向生长.正交-四方相的准同型相界(简称为MPB)存在于x=0.45～0.50之间;SBNN晶体是不一致熔融的化合物,在晶体成长过程中,Sr2+的分凝系数比Ba2+的大,因此具有高浓度Ba2+的SBNN晶体很难生长.晶体的居里温度是243℃,在此温度下的相变是弥散的,随频率的增加,介电常数降低.     

Sol-gel法制备掺钕钛酸铅铁电薄膜

采用sol-gel法在P型Si(111)衬底上制备了Pb0.85Nd0.1TiO3(PNT) 薄膜.用X射线衍射技术研究了退火温度对薄膜结构和结晶性的影响.同时还研究了薄膜的介电、铁电和绝缘性能.结果发现在600℃下退火1h的PNT薄膜呈钙钛矿结构;在0～5V范围内,薄膜的漏电流密度小于1.00×10-5A/cm2;在±5V的偏压范围内,C-V记忆窗口宽度为2V;在零电压下,时间保持长达105～106s; 在室温100kHz下,其介电常数为31.60,介电损耗为0.12.     

金属有机分解法制备钛酸铜钙薄膜

采用金属有机分解法(MOD)在p-S i(111)衬底上制备了钛酸铜钙(CaCu3Ti4O12)薄膜。对前驱体溶液粉体退火后做了红外和X射线分析;对薄膜退火后做了X射线和原子力显微镜分析。结果表明,在空气中750℃退火1h后,钛酸铜钙结晶良好;钛酸铜钙薄膜的生长为二维生长模式。     

氧化锌单晶的水热生长与结晶习性

本文应用水热生长法,采用双温区高压反应釜,黄金内衬(φ35mm ×2mm),碱性溶液矿化剂,生长出了毫米级的透明氧化锌单晶,最大单晶可达2mm ×3mm ×6mm.所生长氧化锌晶体为纤锌矿型的六方晶体,晶体呈上部锥形的六棱柱体,{10(1-)1}、{10(1-)0}和{000(1-)}面有较大的显露平面.本文中从温差和填充度方面研究了实验条件对ZnO晶体的生长及其形貌的影响,使用黄金内衬前后的结果表明,用贵金属内衬可以有效阻止釜内壁杂质的进入,使晶体完整透明.     

耐辐射优质石英晶体的生长

在水热条件下,我们利用三次再结晶的方法,生长了耐辐射优质石英晶体。随着再结晶次数的增加,晶体中的杂质浓度和缺陷浓度明显降低,晶体的耐辐射性能明显提高。