退火效应对MOCVD生长的ZnO薄膜的影响

我们利用MOCVD设备在α-Al2O3衬底上生长了c轴取向的ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜进行表征,研究了退火对ZnO薄膜光电特性影响.通过退火优化, ZnO薄膜的结晶性得到提高,晶粒尺寸变大,紫外光发射峰的强度相对变强.     

以乙醇为氧源生长ZnO薄膜中温度对光谱影响的研究

本文探索了以乙醇为氧源通过MOCVD方法生长ZnO薄膜的方法,着重研究了该实验中生长温度对薄膜发光光谱的影响.我们分别在350℃、370℃、380℃、400℃和420℃温度下生长了ZnO薄膜,并对其发光光谱进行了研究.结果表明适当地提高生长温度可以使近带边发光峰蓝移,但温度过高,使得峰位红移并展宽.在380℃的生长条件下得到了较好的光谱.370℃条件下还出现了474nm的发光峰,经退火后此峰消失.