GaAs微探尖的衬底选择刻蚀法剥离和转移

报道了一种用于制作扫描近场光学显微术(SNOM)传感头的GaAs微探尖的剥离和转移方法-GaAs衬底选择湿法刻蚀技术.利用扫描电子显微镜对转移后的微探尖进行了表征.结果表明,通过此方法能够成功地将GaAs微探尖转移到目标晶片上,并且在剥离和转移过程中微探尖没有受到损伤.这种技术对实现由带有PIN光探测器的垂直腔面发射激光器与GaAs微探尖的混合集成式SNOM传感头有着非常重要的应用价值.