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专业分类
晶体学
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2014年
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1.
射频功率对Si薄膜微观结构及电学性能的影响
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郝娟
蒋百灵
杨超
董丹
张彤晖
《人工晶体学报》
2014,43(11):2835-2839
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同射频功率的Si薄膜,并对其进行真空退火处理.研究了射频功率和退火处理对薄膜微观结构和电学性能的影响,并总结了不同电场环境对薄膜原子排列有序度的影响规律.结果表明:随射频功率的增加,Si薄膜的非晶结构无实质改变,但其少子寿命明显增强;经800℃真空退火处理后,Si薄膜的微观结构均由非晶态转变为晶态,晶化程度达60;以上,且少子寿命达到20 μs以上.
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