高功率微波作用下限幅器尖峰泄漏特性

针对限幅器在高功率微波(HPM)作用下的尖峰泄漏问题,基于搭建的HPM注入实验平台和电路仿真开展了研究。研究结果表明:当注入功率超过6 dBm时,限幅器会出现尖峰泄漏现象,限幅器泄漏尖峰的上升沿与脉宽随着注入功率的增加而减小,而绝对尖峰泄漏功率随注入功率的增加呈增长趋势,平顶泄漏功率呈近似"线性增加-缓慢下降-小幅增长"趋势。并且,实验结果显示:HPM脉宽与重频对限幅器尖峰泄漏特性基本无影响,其泄漏特性变化规律与单次脉冲的基本一致;尖峰泄漏能量随注入功率的增加而降低。     

高铁酸盐稳定性研究进展

高铁酸盐具有强氧化性和无毒性,是一种多用途化学试剂,可作为氧化剂、混凝剂、消毒剂和电池阴极材料使用.但高铁酸盐水溶液极易分解及固态高铁酸盐制备成本高,从而限制了它的实际应用.本文概述了高铁酸盐稳定性方面的研究进展,介绍了溶液浓度、pH、温度、高铁酸盐纯度和离子掺杂等因素对其稳定性的影响,以及改善高铁酸盐稳定性的各种研究...     

典型后门耦合目标回波信号特性分析

构建了典型后门耦合目标,从时域和频域两个维度对目标进行了回波特性仿真,发现目标的孔缝-腔体结构出现强耦合时回波频域波形可观察到幅度凹坑,且强耦合频率时的回波时域波形呈双峰状,与非强耦合回波存在明显差异。通过改变后门耦合目标尺寸和形态仿真验证了所发现的回波信号特征规律,利用发现的回波信号特征规律可从回波信号中提取出未知目标腔体后门强耦合微波参数。     

Effects of GaN cap layer thickness on an AlN/GaN heterostructure

In this study, we investigate the effects of GaN cap layer thickness on the two-dimensional electron gas (2DEG) electron density and 2DEG electron mobility of AlN/GaN heterostructures by using the temperature-dependent Hall measurement and theoretical fitting method. The results of our analysis clearly indicate that the GaN cap layer thickness of an AlN/GaN heterostructure has influences on the 2DEG electron density and the electron mobility. For the AlN/GaN heterostructures with a 3-nm AlN barrier layer, the optimized thickness of the GaN cap layer is around 4 nm and the strained a-axis lattice constant of the AlN barrier layer is less than that of GaN.