纳米锌镀层在硫酸中的腐蚀和缓蚀机理

用失晕法测试了纳米锌镀层和0^#锌片在0．2mol／L硫酸介质中的腐蚀性能．结果表明纳米锌镀层的耐腐蚀性要远优于锌片，且在一定的实验条件下，纳米锌镀层的腐蚀速率为一常数．另外，本文还研究了溴化十六烷基吡啶和吡啶及其甲基衍生物在硫酸介质中对纳米锌镀层和0^#锌片的缓蚀性能．其中溴化十六烷基吡啶和3-甲基吡啶的缓蚀性能较好．并用密度泛函B3LYP方法和Onsager溶剂化模型，在6-31G水平上优化了溴化十六烷基毗啶、3-甲基吡啶和4-甲基毗啶分子的几何构型，用其电子结构数据探讨了它们的缓蚀机理。     

用拓扑指数S_i研究碳氢化合物的沸点(Ⅲ)

定义了拓扑指数Ｓｉ（ｉ＝１，２，３，４），并选取包含双、三键、环及苯环的碳氢化合物为研究对象，计算了这些化合物的拓扑指数Ｓｉ，同时用Ｓｉ相关了它们的沸点．结果较文献值有所改善．并从Ｓｉ中筛选出了Ｓ     

烷基硫酸盐表面张力的量子化学研究

用AMl量子化学计算法优化了十三烷基硫酸根阴离子和——CH3在不同取代位的十二烷基硫酸根阴离子的几何构型，得到最优构型时最高占据分子轨道能级EHOMO、最低空轨道能级ELUMO、电子能量Eele和偶极矩μ等数据．将这些电子结构数据分别与表面张力相拟合，得到很好的相关性。文中讨论了——CH3在不同位置取代对表面张力的影响。     

一个新的拓扑指数F2及其对ABn型分子键能的研究

建议了一种新的拓扑指数Ｆ２，并用Ｆ２研究了ＡＢｎ（ｎ＝２，３，４，５）型分子的平均键能，研究表明，Ｆ２与ＡＢｎ型分子的平均键能呈良发的线性关系，并得出ＡＢ３，ＡＢ４，ＡＢ５型分子键长与平均键能效关系的数学表达式。     

巢型硼烷的成键特征

本文在Ｌｉｐｓｃｏｍｂ的半拓扑图示和Ｗａｄｅ规则的基础上提出了巢型硼烷（ＢｎＨｎ＋４）及阴离子硼烷（ＢｎＨ４－ｎ）中各种化学键数目的计算公式。本文的计算值与文献值完全吻合。同时阐明了本文经验公式的物理意义及其与Ｗａｄｅ规则和唐敖庆结构规则的一致性     

结构参数F对卤代甲烷△fHm0的相关性研究

结构决定性质,分子的微观结构与性质之间存着密切的关系.如何找出结构和性质之间的关系并从理论上预测分子的性质,是一项十分有意义的工作.辛厚文[1]等用键参数来表达分子的结构并定量研究结构与性质的关系,取得了有意义的结果[2].本文拟用矩阵来表达分子结构,并进一步研究卤代甲烷结构与宏观热力学量标准生成焓的关系.     

结构参数X的计算方法及与分子总键能和生成焓的关系

本文借助于电负性I和有效主量子数n_i^*定义了有效价电子数Z_i′。由Z_i′、 n^*_i及成键电子数mi定义的原子结构参数δ_i和分子结构参数X被计算。发现A_mB_n型分子的X相似文献   

键连接性指数的建构及其在有机体系中的应用研究

以化学键为基础建构了键连接性指数及分子键连接性指数，该指数同时考虑顶 点原子的化学特征及键的性质．对于任意化学键，键连接性指数Si＝1+△I/R·[（ Z1-h1)m2/n1+(Z2-h2)m1/n2]，分子键连接性指数S为∑i=1^m√Si或∑i=1^m1/√ Si，其中，Z1，Z2为化学键键连原子的价电子数；n1，n2成键原子的价层最高主量 子数；m1，m2为成键原子的氧化数；h1，h2为与成键原子相连的氢原子个数；△I 为成键原子的电负性差(△I≥0)；R为化学键的相对键长．与以顶点为基础的价连 接性指数不同，该指数不仅能方便而有效地应用于饱和碳氢体系亦能有效地应用于 含多重键的不饱和体系及含杂原子的有机体系．研究了饱和碳氢体系标准生成焓， 不饱和碳氢体系和酮、醚、酯体系在水中的溶解度和辛醇/水分配系数，卤代甲烷 体系的标准生成焓，卤代苯体系辛醇/水分配系数，均取得比较满意的结果。     

四苯基卟啉及其衍生物的结构与性质的研究(Ⅴ)──氨基取代四苯基卟啉衍生物的同系线性规律

本文首先确定了卟吩的同系序数(n)和氨基取代四苯基卟啉衍生物的同系序数(N),然后将同系因子(1/2)^{2/N与其电子活动性能(Y)作线性拟合,得到一组同系线性方程:Y=a+b·(1/2)2/N其中,a、b是与Y有关的常数,并用同系线性规律解释了λ_max红移现象,得出了一些规律性的结论。}     

Ag-Al(OH)3催化剂提高空气(氧)电极电流密度的EHMO研究

银-铝催化剂由于性能好、价廉而用于空气电池的空(氧)电极中.然而这类催化剂的结构以及对氧吸附特性等尚未见报道.我们用EHMO量子化学近似计算法优化了这类催化剂未完全脱水呈Ag-Al(OH)_3时的构型,探讨了它们对氧吸附的方式,从微观角度解释了提高电流密度的原因. 1.Ag-Al(OH)_3构型的优化:对Ag-Al(OH)_3催化剂的构型优化采用不带电荷自洽的EHMO方法,在M-340S计算机上进行.Al—O,O—H键长和Al—O—H键角引自