基于图像灰度信息的直线位移测量

提出了一种基于视觉的新型直线位移测量方法。建立了图像各像素点灰度值与直线运动位移间的映射函数模型,通过数值方法解算了直线运动平台的位移。通过蒙特卡罗仿真对所提方法进行分析,证明了其可行性与合理性。分析了检测点拓扑结构对测量精度的影响。实验结果表明,在10 mm的位移测量范围内,所提方法的测量误差标准差为4μm。     

扫描干涉场曝光中光栅掩模槽形轮廓的预测

根据扫描干涉场曝光的特点,针对光刻胶层内曝光量的驻波效应,建立了动态曝光模型。基于快速推进法建立了显影模型,得到了光栅掩模槽形的演变规律。为减弱驻波效应的影响,提出了一种抗反射层最优厚度的设计方法。仿真结果表明,建立的曝光和显影模型能有效预测光栅掩模的槽形轮廓,同时可优化抗反射膜的厚度。     

一种含假芪型偶氮生色团两亲性嵌段共聚物的合成与表征

利用原子转移自由基聚合（ATRP）合成了一种新型的含假芪型偶氮生色团的两亲性嵌段共聚物P（HEMA-b-6CNAzo）。首先,采用ATRP引发剂引发三甲基硅保护的羟乙基甲基丙烯酸酯（HEMA—TMS）聚合,得到大分子引发剂P（HEMA—TMS）;接着进一步引发单体甲基丙烯酸6-（N_甲基苯胺基）己酯进行ATRP反应,得...     

由三个压电陶瓷堆组成的干涉仪移相器的校正与标定

根据傅里叶变换原理 ,提出了一种对由三个压电陶瓷堆 (PZT)组成的干涉仪移相器进行非线性及平行性校正与标定的方法。在对各个压电陶瓷堆进行非线性校正的基础上 ,利用干涉图像自动分析系统 ,综合分析各个压电陶瓷堆之间的牵制作用 ,从而得到对整体干涉仪移相器平行性校正的补偿依据。组建了一套卧式数字平面干涉仪 ,在干涉仪移相器承重 6kg的情况下进行实验 ,非线性误差由 12 %校正至 0 3 %。由于干涉仪相移器承重而引起的移相过程中的条纹旋转降至 2° ,条纹间距变化小于 2 %。     

数字X射线图象的面不同一性校正研究

分析了数字X射线图象中面不同一性产生的原因,并从原理发出,采用曲面拟合的背景校正方法进行校正.实验表明该方法可以有效消除随机噪音对背景校正的影响,更好地提取出背景的不同一性特征信息,具有良好的校正效果.     

半导体光电探测器响应度测试装置的研制

分析了半导体光电探测器光谱响应度的测试原理;研制了一套波长为０．４～１．１μｍ的光谱响度测试装置。该装置采用双光路替代法,可以测试绝对光谱响应度、相对光谱响应度和量子效率,并可减小光源不稳定性对测试结果的影响,最终给出了测试结果比对。     

含强推拉电子型偶氮苯的嵌段共聚物合成与自组装研究

利用原子转移自由基聚合(ATRP)和前体聚合物重氮偶合反应相结合的方法,制备了一种新型含强推拉电子型偶氮苯的嵌段共聚物PEG-b-P6CNAzo.首先使用大分子引发剂PEGBr引发单体甲基丙烯酸6(N-甲基苯胺基)己酯进行ATRP聚合,得到作为前体聚合物的两嵌段共聚物PEG-b-P6MA,然后再与4-氰基苯胺的重氮盐进行重氮偶合反应得到目标产物PEG-b-P6CNAzo.利用GPC1、H-NMR、UV-Vis等手段对制得的聚合物进行了详细的表征.1H-NMR分析结果表明PEG-b-P6MA的聚合度为122-b-13,重氮偶合反应转化率接近100%.GPC结果表明PEG-b-P6MA与PEG-b-P6CNAzo均具有较窄的分子量分布.向浓度为0.2 g/L的PEG-b-P6CNAzo四氢呋喃溶液中以0.5 mL/h速率加水,该嵌段共聚物可以形成直径约11 nm的棒状胶束.     

干涉仪移相器相位移π/2标定方法的研究

干涉仪移相器的相位标定在很大程度上决定了移相干涉仪的测量精度。本文是用傅里叶变换的原理,测量出推动移相器移动的压电陶瓷堆(PZT)的微位移量,并在此基础上提出了一种用空域滤波法得到干涉因光强分布,并判断其移相误差从而校正移相器步进π/2的方法。本文组建了一套数字平面干涉仪,对干涉仪移相器进行实验,在5步法情况下其移相误差在0.5%以下。     

激光准直自动化监测大坝变形方法的研究

本文介绍了一种用激光准直法对大坝变形进行监测的方法,阐述了其中的关键光学元件-菲涅耳波带片的应用,并采用CCD技术求取象点中心位置的精确处理方法,从而通过象点位置变化来跟踪大坝的变形.在分析其工作原理的基础上建立了一套测量装置,通过原理实验,论证了该方法的可行性与精确性.     

在线检测中改善对入射光强敏感性方法的研究

提出一种新的图象灰度均匀性算法,利用目标反射率是恒定因素,有效降低了入射光强变化对在线目标识别带来的不利影响.实践表明这一方法有效解决了工业在线检测中环境恶劣对入射光的影响问题.