种子溶胀悬浮聚合法制备分子印迹聚合物微球

 以酪氨酸为印迹分子 ,甲基丙烯酸为功能单体 ,三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯 (TRIM )为交联剂 ,采用种子溶胀悬浮聚合法在水溶液中制备了一系列分子印迹聚合物微球 (MIPMs)。利用扫描电镜 (SEM)对此微球的粒径大小、粒径分布、表面孔与孔径分布等进行了分析研究 ,探讨了影响其形貌的主要因素 ,并将所得微球用作固定相研究了其分子选择吸附性能。研究表明 ,种子溶胀悬浮聚合法能够制得单分散性较好的、表面带有微孔的分子印迹聚合物微球 ,且该微球呈现出较好的特异吸附性能。     

一种中子脉冲序列核信号高速相关函数计算方法

为解决基于PC机平台、高达1 GHz采样率下的相关函数计算的实时性需求,针对中子脉冲序列核信号本身所具有的结构特点,设计了高速、实时的相关函数计算方法,实现了采样率为1 GHz的中子脉冲序列核信号的实时相关函数计算。性能测试结果表明,算法达到了对中子脉冲序列核信号进行相关计算的时间在1 h以内的实时性要求,使得铀部件质量丰度的实时检测成为可能。     

乳液聚合法制备亚微米级分子印迹聚合物微球

以西咪替丁为印迹分子，2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸(AMPS)为功能单体，三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸甲酯(TRIM)为交联剂，采用乳液聚合法制备了亚微米级分子印迹聚合物微球．利用扫描电镜对此聚合物微球的形貌进行了观察，探讨了影响乳液稳定性、粒径大小与分布的主要因素，重点对聚合工艺和配方进行了优化，并将所得的聚合物用作吸附剂研究了其分子识别与选择性能．研究表明，乳液聚合法能够制得单分散性较好的、平均粒径在0．169μm～0．407μm的分子印迹聚合物微球，且该微球对其印迹分子呈现出较好的特异识别与选择性能，当以苯丙氨酸为竞争分子时，分离因子可达1．70．     

基于共振腔发光二极管的DBR温度特性研究

分布式布拉格反射镜（DBR）是共振腔发光二极管（RCLED）的主要组成部分,其温度特性对RCLED的性能有着重要影响。基于650 nm红光RCLED,设计出由Al0.5Ga0.5As和Al0.95Ga0.05As组成的DBR结构。首先通过AlxGa1-xAs材料折射率的色散关系分析温度对AlxGa1-xAs材料折射率的影响,进而模拟了DBR反射谱的温度特性,得到随着温度升高DBR反射谱红移的结论,温漂速率为0.048982 nm/℃。通过MOCVD制备出30对Al0.5Ga0.5As和Al0.95Ga0.05As组成的DBR外延结构,并对其进行反射谱测试,发现随着温度升高反射谱出现了红移现象,温漂速率为0.049277 nm/℃,与模拟结果相近,验证了温度升高导致反射谱红移结论的正确性。     

具有多MO喷嘴垂直MOCVD反应腔外延层厚度均匀性的优化理论及应用

金属有机物化学气相淀积(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)作为异质结半导体材料外延的关键手段,其外延层厚度均匀性会直接影响产品的良率.本文将理论与实验相结合,针对3个MO源喷嘴的垂直反应腔MOCVD,将各MO源喷嘴等效为蒸发面源,并引入一等效高度来涵盖MOCVD的相关外延参数,建立外延层厚度与各MO源喷嘴流量间的定量关系,设计并利用EMCORE D125 MOCVD系统外延生长了AlGaAs谐振腔结构,根据实验测得的外延层厚度分布结果,利用最小二乘法对模型参数进行了拟合提取,基于提取的模型参数,给出了优化外延层厚度均匀性的方法. 4 in (1 in=2.54 cm)外延片mapping反射谱的统计结果为,腔模的平均波长为651.89 nm,标准偏差为1.03 nm,厚度均匀性达到0.16%.同时外延生长了GaInP量子阱结构, 4 in外延片mapping荧光光谱的统计结果为,峰值波长平均值为653.3 nm,标准偏差仅为0.46 nm,厚度均匀性达到0.07%.本文提出的调整外延层厚度均匀性的方法具有简单、有效、快捷的特点...