| 具有多MO喷嘴垂直MOCVD反应腔外延层厚度均匀性的优化理论及应用 |
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| 引用本文： | 李建军,崔屿峥,付聪乐,秦晓伟,李雨畅,邓军.具有多MO喷嘴垂直MOCVD反应腔外延层厚度均匀性的优化理论及应用[J].物理学报,2024(4):251-261. |
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| 作者姓名： | 李建军 崔屿峥 付聪乐 秦晓伟 李雨畅 邓军 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,光电子技术教育部重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(批准号:2018YFA0209003)；;北京市自然科学基金(批准号:4222060)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 金属有机物化学气相淀积(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)作为异质结半导体材料外延的关键手段,其外延层厚度均匀性会直接影响产品的良率.本文将理论与实验相结合,针对3个MO源喷嘴的垂直反应腔MOCVD,将各MO源喷嘴等效为蒸发面源,并引入一等效高度来涵盖MOCVD的相关外延参数,建立外延层厚度与各MO源喷嘴流量间的定量关系,设计并利用EMCORE D125 MOCVD系统外延生长了AlGaAs谐振腔结构,根据实验测得的外延层厚度分布结果,利用最小二乘法对模型参数进行了拟合提取,基于提取的模型参数,给出了优化外延层厚度均匀性的方法. 4 in (1 in=2.54 cm)外延片mapping反射谱的统计结果为,腔模的平均波长为651.89 nm,标准偏差为1.03 nm,厚度均匀性达到0.16%.同时外延生长了GaInP量子阱结构, 4 in外延片mapping荧光光谱的统计结果为,峰值波长平均值为653.3 nm,标准偏差仅为0.46 nm,厚度均匀性达到0.07%.本文提出的调整外延层厚度均匀性的方法具有简单、有效、快捷的特点...
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| 关 键 词： | 外延生长 最小二乘拟合 薄膜均匀性 金属有机物化学气相沉积 |
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