钐对不同氧空位SnO2气敏性能的影响

用Ｓｍ对不同氧空位浓度的ＳｎＯ２－ｘ气敏材料进行掺杂化学改性,并进行ＸＲＤ,ＸＰＳ,ＳＥＭ分析和比表面积测定,考察改性后的气敏材料对Ｃ６Ｈ６,Ｃ６Ｈ１２,Ｃ２Ｈ５ＯＨ,ＣＯ,Ｈ２等的气敏性能。     

相变材料与超表面复合结构太赫兹移相器

利用相变材料嵌入超表面组成复合结构实现太赫兹移相器,该器件自上而下依次为二氧化钒嵌入金属层、液晶、二氧化钒嵌入金属层、二氧化硅层.通过二氧化钒的相变特性和液晶的双折率特性同时作用实现对器件相位调控.随着外加温度变化二氧化钒电导率发生改变,器件的相位随之产生移动,同样的对液晶层施加不同的电压导致液晶折射率发生变化,器件相位也会有影响.经过这两种介质共同作用,最终实现对太赫兹波相位有效调控.仿真结果验证了该相移器在频率f=0.736 THz时,太赫兹移相器的最大相移量达到355.37°,在0.731—0.752 THz(带宽为22 GHz)频率范围相移量超过350°.这种基于相变材料与超表面复合结构为灵活调控太赫兹波提供了一种新思路,将在太赫兹成像、通信等领域有着广泛的应用前景.