阿霉素在氧化铟锡电极上的电化学行为及其应用

阿霉素(ADM)在0.02 mol/L pH 7.50的NaH2PO4-Na2HPO4缓冲溶液中,用氧化铟锡(ITO)电极进行线性扫描伏安法测定,得到一良好的还原峰,其峰电位为-0.63 V。峰电流与ADM浓度在1.0×10-7~5.0×10-6mol/L范围内呈线性关系,检出限为5.0×10-8mol/L。用循环伏安法研究了体系的电化学行为及电极反应机理。实验表明,该体系属两电子还原的不可逆过程。     

辣根过氧化酶在磁性纳米修饰的离子注入电极上的电化学和电催化行为

辣根过氧化酶(HRP)在Co/NH2/ITO离子注入电极上有一对良好的氧化还原峰,峰电位分别为Epc=-0.2 V,Epa=-0.01 V(vsAg/AgCl)。该修饰电极对H2O2具有催化作用,可以用作H2O2的生物传感器,峰电流与H2O2的浓度分别在1.0×10-10~2.0×10-8mol/L和2.0×10-8~1.0×10-7mol/L范围内呈线性关系,线性回归方程分别为Ip(mA)=2.2986+0.06632c(nmol/L)和Ip(mA)=3.5788+7.3053E-4c(nmol/L),相关系数分别为0.9972和0.9688。检出限为1.0×10-10mol/L。     

阿霉素在纳米钴/碳纳米管/ITO修饰电极上的电化学行为

以固定在氧化铟锡(ITO)电极上的多壁碳纳米管为基底吸附纳米钴,制备了复合纳米材料修饰的电极(Co/CNT/ITO)。采用扫描电子显微镜(SEM)和电子能谱(EDS)等对其进行了表征。用纳米钴/碳纳米管/ITO电极,研究了阿霉素(ADM)的电化学行为。实验表明,该体系具有吸附性的不可逆过程,峰电位为-0.65V(vs.Ag/AgCl),峰电流与ADM浓度在1.0×10-9～5.0×10-7mol/L范围内呈线性关系;检出限为1.0×10-9mol/L。本法灵敏、简便。