高度有序氧化钨纳米棒的制备和表征

采用直流磁控溅射法结合阳极氧化法在铝基纳米点阵上制备氧化钨(WO3)纳米棒. 运用原子力学显微镜(AFM), 电子扫描显微镜(SEM), X射线衍射仪(XRD), 电化学工作站(EW)和紫外-可见分光光度计(UV)观察表征了WO3纳米棒的表面形貌、结构、光学性能和电致变色性能. 结果表明: 在溅射过程中, 溅射粒子优先沉积于铝基纳米点阵的凸点上, 然后成核并形成棒状; WO3纳米棒的直径约为200 nm, 与铝基纳米点阵的直径一致, 拥有一定的电致变色性能.     

纳米晶碳化钨薄膜对硝基甲烷还原的电催化性能

采用磁控溅射物理气相沉积技术在金属镍基体上制备碳化钨纳米晶薄膜. 薄膜具有纳米晶结构, 由粒径为20~35 nm的晶粒构成, 晶粒分布均匀, 晶相结构为非化学计量比的碳化钨(WC1-x). 采用电化学方法研究硝基甲烷在纳米晶碳化钨薄膜电极上的电化学还原性能和反应机理. 实验结果表明, 碳化钨薄膜电极对硝基甲烷电化学还原反应具有较好的催化性能, 当电极电位为-0.89 V(vs.SCE)时, 硝基甲烷还原为甲基羟胺的电流达14.9 mA/cm2, 其反应表观活化能为12.3 kJ/mol. 硝基甲烷在碳化钨薄膜电极上经过一步不可逆的电化学反应还原成甲基羟胺, 其控制步骤是电极反应的电荷传递过程. 