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本文建议利用MOS结构对阶跃电压的I-t和C-t响应,采用由Rabbani提出的较精确的体产生区模型测量体产生寿命和表面产生速度,既不需要在瞬态曲线上求斜率,也不需要知道样品衬底的掺杂浓度.因此不仅可使计算简单,而且还可以减少误差.本方法原则上适用于确定掺杂不均匀样品的两个产生参数. 相似文献
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