溶剂对Bi2WO6形貌及其γ射线屏蔽性能的影响

通过简单的溶剂热法,在不添加任何表面活性剂的情况下,系统地研究吡啶、甘露醇、聚乙二醇和乙二醇四种溶剂对Bi2WO6辐射防护材料的影响。并利用XRD,SEM,TEM,HRTEM和DRS等分析技术对Bi2WO6晶体的组成、形貌、比表面积和禁带宽度等进行了表征。实验结果表明,溶剂对防护材料的形貌、光致发光性能和辐射防护性能有较大影响。选用吡啶作为溶剂,有利于材料形成不规则纳米球,提高其结晶度、光致发光强度及射线屏蔽率。该形貌下PS/Bi2WO6材料对155Eu和22Na混合点源的105.310 keV的射线屏蔽率达54.17%,已高于传统防护材料PbWO4。     

m面蓝宝石上外延（110）取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究

由于在日盲紫外探测方面的应用前景,具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注。获得具有择优取向的单一相MgZnO对提升MgZnO基日盲紫外探测器性能至关重要。本文利用低压金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）方法在m面蓝宝石衬底上制备了一系列不同组分的Mg_xZn_1-xO薄膜。光学和结构特性测试结果表明：Zn摩尔分数达到55%的Mg_0.45Zn_0.55O薄膜依然是单一立方相,其光学带隙可以达到4.7 eV。立方岩盐结构MgZnO与m面蓝宝石衬底的外延结构关系为（110）_MgZnO‖（1010）_sapphire、[001]_MgZnO‖[1210]_sapphire和[110]_MgZnO‖[0001]_sapphire。唯一确定的面内取向有利于薄膜晶体质量的提高。基于（110）取向立方相Mg_0.45Zn_0.55O薄膜制备金属-半导体-金属（MSM）结构器件,获得了光响应峰在260 nm、光响应截止波长278 nm的日盲紫外探测器。     

固体填料对聚乙二醇结晶性的影响

采用DSC、WAXD技术研究了固体填料 (Al粉、奥克托金 (HMX)、高氯酸铵 (AP) )对聚乙二醇结晶性的影响 .Al粉及HMX不影响混合物中PEG的结晶度及晶体结构 ,高氯酸铵与PEG之间存在较强的相互作用 ,降低了混合物中PEG的结晶度 .某些金属盐也与PEG之间存在类似的相互作用 ,这种相互作用以金属盐溶于PEG熔体为前提 .高氯酸铵及金属盐导致PEG结晶度的降低是由于其阳离子与PEG分子链中的氧原子形成了络合物 ,增强了二者之间的相互作用 .     

基于二氟卡宾转化的芳基和烯基碘化物的三氟甲硫基化

二氟卡宾在有机氟化物的合成中发挥了重要作用.之前的发现,二氟卡宾能与硫单质反应产生硫代氟光气,这对二氟卡宾化学的新发现以及硫代氟光气的应用研究都具有重要价值.利用这一路径已经实现了端基炔烃和烷基卤化物的三氟甲硫基化.在此,继续深入研究这一路径在合成上的应用,并实现了芳基和烯基碘化物的三氟甲硫基化.三氟甲硫基化是有机氟化学的一个重要研究方向,常用方法一般需要使用含CF₃S基团的昂贵试剂.在该方法中, CF₃S基团是由二氟卡宾、硫单质和氟离子现场产生的,所用试剂都廉价易得.     

在线原位观察电镀镍磷合金镀液光亮剂的作用

以喷金云母片为基体,浓度为正常镀液5%的电镀镍液作母液,应用电化学扫描隧道显微镜在纳米尺度范围内在线原位观察光亮剂对镀层微观形貌的影响.实验发现,对不加光亮剂的镀液,所得镀层尽管无光亮性,但镀后的粗糙度与峰谷值HA-V明显降低;加有全光亮性光亮剂的镀液,虽可得到全光亮镀层,但其粗糙度与峰谷值HA-V却增加了,半光亮剂对峰谷值与光亮性的影响处于以上两者之间,证明光亮剂的作用机理不是微观整平作用,纳米尺度内的微观整平性与镀液的光亮性没有必然的联系.     

热处理对立方相结构Mg0.57Zn0.43O合金薄膜表面和组成的影响

MgZnO合金具有可覆盖日盲紫外波段的禁带宽度和晶格匹配的单晶衬底,是理想的日盲紫外探测材料.由于MgO和ZnO分属立方相和六角相,分相问题使高质量单一相MgZnO难以获得.热处理是提高薄膜结晶质量的有效手段.利用MOCVD方法制备了单一立方相Mg0.57Zn0.43O合金薄膜,研究了薄膜的退火行为对薄膜结构和光学性能...     

高能混合物的感度理论判别—— 不同配比和不同温度AP/HMX的MD研究

为了寻求高能复合材料的感度理论判据, 对高氯酸铵(AP)和HMX(环四甲撑四硝胺)所构成的不同质量比的二元混合体系, 用分子动力学(MD)方法和修正的PCFF力场, 作正则系综(NVT)下的周期性模拟计算, 求得其结合能和HMX热解引发键(N—NO2)的平均键长和最大键长. 结果表明, 结合能随质量比不同呈复杂变化趋势; HMX(N—NO2)引发键的最大键长随体系中HMX配比增加先增后减, 而当AP/HMX为1∶1时其值最大, 恰与此配比下感度最大的实验事实相一致. 选择质量比为1∶1的AP/HMX作不同温度下的NVT-MD模拟, 发现引发键(N—NO2)最大键长随温度升高而递增, 与感度随温度升高而增大的实验事实相符. 为此我们建议, 把高能复合材料中易爆燃组分引发键的最大键长作为其热和撞击等感度的理论判据, 借以阐明、比较或预示它们的相对安全性.     

聚合物共混物的相容性及相分离

综述了聚合物共混物相容性和相分离的研究现状。介绍了聚合物共混物的相容性理论,影响相容性的因素及改善和相容性的方法和表征相容性的手段。聚合物共混物的相分离机理制约着材料的性能,旋节分离和成核－增长相分离分别形成不同的形态结构。旋节分离和成核－增长相分离所对应的动力学过程是不同的,散射光强与相分离时间分别满足指数和幂指数关系。     

基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器

在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相MgZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面态,在立方相薄膜表面电极接触中起到了降低势垒、减小耗尽层宽度、增强电极注入电子的能力的作用,使得器件形成高的光导增益。     

梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长

为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜,把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 eV,覆盖了整个日盲紫外波段。对比实验分析表明,这种高Zn组分立方相MgZnO薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度(350~400℃)。Mg0.3Zn0.7O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270 nm,截止波长295 nm。