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Ta2O5薄膜作为电容元件材料的替代品已在微电子等领域中显示出广阔的应用前景[1]．脉冲激光沉积（PLD）法制备Ta2O5薄膜以其显著的优点引起了广泛重视[2，3]．而对激光烧蚀的物理化学过程的认识是完善这一方法的重要前提．我们曾采用时间分辨与角分辨飞行四极质谱[4]和发光光谱技术[5]较系统地研究了激光烧蚀Ta2O5产生的羽状物的组成和特征，并认为在O2气氛中沉积Ta2O5薄膜可以改善甚至避免形成缺氧的薄膜．但由于上述实验方法上的限制，未能详细考察激光烧蚀Ta2O5生成的离子产物在O2气氛中发生的氧化反应．为了研究激光烧蚀产物离子… 相似文献
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