首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2篇
  免费   2篇
化学   1篇
晶体学   2篇
物理学   1篇
  2014年   2篇
  2009年   1篇
  2005年   1篇
排序方式: 共有4条查询结果,搜索用时 473 毫秒
1
1.
通过将水热法制备的钛酸盐纳米管,质子化得到氢基钛酸盐纳米管(H-TNTs)后,利用离子交换法,在碱性条件下,制备出银沉积二氧化钛纳米结构(Ag@TiO2).采用XRD、TEM、XPS、DRS等手段对不同工艺下制备的Ag@TiO2的形貌、结构、组成和光学性能进行了表征,并以甲基橙为目标降解物,研究了其光催化活性.研究发现,利用离子交换的方法,可以将银以单质银的形式均匀沉积在二氧化钛纳米结构中,随着煅烧温度的升高,Ag@TiO2光催化剂的形貌由管状结构转变成棒状结构,在长度不断减小的同时,直径不断增大,同时结晶度逐步提高.550℃煅烧的Ag@TiO2的光催化活性最好,以其为光催化剂,60 mL 20 mg·L-的甲基橙在1.5h时降解完全.  相似文献   
2.
气相色谱/质谱检测蔬菜和水果中35种农药残留   总被引:9,自引:0,他引:9  
1.1仪器 Agilent6890-5973NGC—MS联用仪,HP-5MS毛细管色谱柱及质谱工作站;氮吹仪(Meyer—N-Evap Model 111(Organomation Associates Inc.));匀浆机(Omni-Mixer Model 17105(Omni International)。  相似文献   
3.
A Coo.3s (Alq3)o.62 granular film is prepared using a co-evaporating technique on a silicon substrate with a native oxide layer. A crossover of magnetoresistance (MR) from positive to negative is observed. The positive MR ratio reaches 17.5% at room temperature (H = 50kOe), and the negative MR ratio reaches -1.35% at 1514 (H = 10 kOe). Furthermore, a metal-insulator transition is also observed. The transition of resistance and MR results from the channel switching of electron transport between the upper Co-AIq3 granular film and the inversion layer underneath. The negative MR originates from the tunneling magnetoresistance effect due to the tunneling conducting between adjacent Co granules, and the positive MR may be attributed to the transport of high mobility carriers in the SiO2/Si inversion layer.  相似文献   
4.
以水热法制备的氢基钛酸盐纳米管(H-TNT)为基体,利用其离子交换性能在碱性条件下制备了[Pd(NH3)4]2+负载的氢基钛酸盐纳米管.采用ICAP、XRD、TEM、DRS、XPS等手段对材料进行了表征,研究了[Pd(NH3)4]2+的浓度和溶液的pH值对氢基钛酸盐纳米管离子交换性能的影响以及交换后样品的晶型、微观形貌、光学性能以及化学组成.结果表明:[Pd(NH3)4]2+负载在H-TNT表面,相互之间以Pd-O键作用.[Pd(NH3)4]2+负载之后,样品的晶型和管状形貌都没有变化,但是在400 ~ 600 nm范围对可见光有明显吸收.溶液浓度和pH值均对离子交换性能有影响,当[Pd(NH3)4]2+浓度较小,溶液中Pd与H-TNT的质量比较小时,[Pd(NH3)4]2+在9≤pH≤12的范围内能够全部负载到H-TNT上;当[Pd(NH3)4]2+浓度较大,溶液中Pd与H-TNT的质量比较大时,增大浓度和pH值均有利于[Pd(NH3)4]2+负载比例的提高,但pH≥10时,[Pd(NH3)4]2+的负载量却趋于饱和.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号