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1.
使用一种简易的无表面活性剂辅助的水热合成方法,在温度为140 ℃时实现了纺锤形β-FeOOH纳米结构向α-氧化铁亚微米/微米粒子的转变。研究表明,通过实验参数的简单调控,实现了单晶α-氧化铁亚微米粒子与β-FeOOH的纺锤形纳米结构和纳米棒的控制制备。基于实验结果,提出了该过程中的相转变机理。  相似文献   
2.
杂原子Pb同晶取代Si-ZSM-12中的部分Si及其鉴定赵修松,王清遐,李宏愿(中国科学院大连化学物理研究所,大连116023)关键词Ph-ZSM-12,合成,表征ZSM-12属丝光沸石类,具有一维线性非交叉孔道(0.57×0.61nm)[1,2],...  相似文献   
3.
以硝酸钴和丙三醇为反应物通过反应条件的改变控制制备出Co3O4纳米线.利用粉末X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对产物的形貌与结构进行了表征.实验发现,在低扫描速率下,Co3O4纳米线电极的循环伏安(CV)曲线呈现出两对氧化还原峰.恒电流充放电实验中,氧化钴纳米线电极在1A.g-1电流密度下的电容为163F.g-1;在1和4A.g-1条件下,其容量随循环次数的增加先上升后下降,1000次充放电循环后容量保持率分别在98%和80%以上,继续增加循环次数则容量下降比较明显.锂离子电池性质测试中,氧化钴纳米线的放电容量为1124mAh.g-1,然而放电容量随循环次数增加下降较快.基于实验结果,对Co3O4纳米线的形成机理及其结构与电化学性质之间的关系进行了探讨.  相似文献   
4.
以壳聚糖为原料在 600、700、800和900℃直接炭化制备多孔炭 C-600,C-700, C-800 和C-900,其BET比表面积分别为278、461、515和625 m2·g-1.用恒流充放电和循环伏安法表征了其电化学性能. 结果表明, 由 C-800 制备电极的循环伏安图形更接近矩形, 在恒电流充放电实验中阴极和阳极过程基本对称, 说明该电极具有较好的电容性能.在 50 mA·g-1 的电流密度下,C-600、C-700、C-800和C-900的电容分别为96、120、154 和 28 F·g-1.由 C-800 制备电极的循环充放电稳定性好, 电流密度为1 A·g-1循环1000次后电容损失小于2%,说明壳聚糖制备多孔碳具有作为超级电容器电极材料的潜在价值. 同时还考察了不同浓度的电解液对C-800电化学性质的影响,发现在KOH浓度为 30%时的电容最大.依据实验结果,对多孔炭制备及其电化学性质间的关系进行了探讨.  相似文献   
5.
Mn2O3纳米结构的简易合成与电化学性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
用简易的室温或水热方法制备出不同形貌的MnCO3微结构。经600 ℃热处理后,室温制备MnCO3转变成Mn2O3胶体片,而水热制备MnCO3样品则形成多孔Mn2O3纳米结构。然而,室温制备MnCO3经120 ℃热处理后形成Mn2O3晶相。制备样品经过XRD和SEM表征表明,热处理MnCO3前驱物形成Mn2O3过程导致产物形貌与结构变化。其形成机理又通过TEM和FTIR进一步研究。Mn2O3纳米结构的电容性质通过循环伏安法表征,结果表明Mn2O3形貌与结构对其电容有重要影响。  相似文献   
6.
本文采用水平沉积方法,制作出各种胶体晶体薄膜.以聚苯乙烯微球为构建单元,制作了多种二元胶体晶体和非单一平面的胶体晶体.为实现太赫兹光子晶体波导,还采用这一方法将线缺陷植入胶体晶体.结果显示通过该方法可以获得很好的有序结构,说明水平沉积方法可以广泛于各种胶体晶体制作.  相似文献   
7.
高温下自生压力原位碳化制取介孔碳   总被引:1,自引:1,他引:0  
以不同配比表面活性剂为软模板合成as-SBA-15, 将其在特制高压釜内, 通过高温自生压力反应(RAPET)使表面活性剂软模板在SBA-15的孔道内原位碳化, 得到碳/介孔二氧化硅复合物, 表面活性剂同时作为模板剂和碳源. 用氢氧化钠溶液腐蚀二氧化硅后得到多孔碳. 氮气吸附脱附测试结果表明, 所得到的碳材料具有较高的比表面积和较窄的孔径分布. 在氮气氛围下煅烧as-SBA-15可使表面活性剂模板挥发.  相似文献   
8.
本文选用硝酸铈和草酸利用水热合成方法合成出二氧化铈八面体。水热产物的形貌与物相可以通过改变反应温度和时间进行调控。基于实验结果,提出了形成二氧化铈八面体的自牺牲模板法机理。  相似文献   
9.
利用化学自组装方法和旋涂技术,成功地将二氧化硅(SiO2)微球体植入聚苯乙烯微球组成的蛋白石中,获得了嵌有面缺陷的三维胶体晶体.经SiO2渗透后,煅烧除去聚苯乙烯微球,获得了反相结构的光子晶体.胶体球粒直径增大时,无论晶体中有无缺陷态的存在,蛋白石及其反相结构透射谱中峰的位置发生红移,反之则产生蓝移.在胶体球粒直径一定时,对于降低折射率的缺陷,其透射谱峰中缺陷态的位置发生红移;对于增加折射率的缺陷,其透射谱峰中缺陷态的位置发生蓝移.透射谱还与缺陷层的厚度等因素有关.  相似文献   
10.
将单斜白钨矿结构的BiVO4固载于中孔MCM-41分子筛上,制备了BiVO4-MCM-41复合催化剂,并对催化剂进行了表征,考察了催化剂在光催化亚甲基蓝降解反应中的催化活性.结果表明,BiVO4首先在MCM-41分子筛上形成锆石结构或四面体白钨矿结构的结晶,通过水热处理之后转变为单斜结构的结晶.BiVO4-MCM-41催化剂不仅保持了BiVO4较高的光催化活性,而且提高了对亚甲基蓝的吸附性能,从而提高了对亚甲基蓝降解反应的光催化活性.  相似文献   
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