自由焓温度关系的快速逼近

由等压热容积分可以得到自由焓温度关系式,但其计算过程是较复杂的,更主要的是积分形式复杂,不便于应用。常用的乌利赫第一和第二规则计算量少,但其准确性不大好。自由焓函数近似法准确度有一定提高,但准确度最好的还是线性迴归法和最佳平方逼近     

对TiB2合成反应体系的优势区相图叠加分析

通过对碳热还原法合成TiB2反应体系的热力学分析,绘制了Ti-C-O系统、B-C-O系统的优势区相图.并在此基础上,通过对Ti-C-O系统、B-C-O系统的优势区相图叠加,得到了TiO2-B2-O3-C系统的优势区相图叠加图.优势区相图叠加分析表明,在碳热还原法合成TiB2粉末的过程中,降低反应体系中CO分压,有利于TiB2合成反应的进行.在以上分析的基础上,确定了碳热还原法合成TiB2粉末的合成工艺,并合成了纯度较高、晶形发育完整的TiB2粉末.     

振动辅助的SiC制品高固相凝胶注模成型研究

采用琼脂糖体系,利用振动辅助凝胶注模的工艺方法制备了含毫米级颗粒的碳化硅/硅陶瓷坯体,研究了两种分散剂(三聚磷酸钠和β-萘磺酸甲醛缩聚物)含量和固相含量对浆料流变性能的影响.测试了脱脂后坯体的强度、体积密度和气孔率.结果表明:采用振动注模的工艺操作,浆料粘度在60000 mPa· s以下时,均可以成功注模,固相含量最高可达到67;.三聚磷酸钠与β-萘磺酸甲醛缩聚物的加入量分别为1.5;和2;时,浆料的粘度最小,分别为13558 mPa· s和12625 mPa· s,流动性最好,β-萘磺酸甲醛缩聚物的分散性能优于三聚磷酸钠.振动辅助凝胶注模工艺与毫米级颗粒的加入可以提高琼脂糖凝胶体系制品的强度.     

合成温度对碳热还原法合成碳化硅晶须形貌的影响

以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500 ℃、1550 ℃、1600 ℃制备了SiC晶须.通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度对SiC晶须形貌的影响,探讨了晶须的生长机理.结果表明:当合成温度为1500 ℃时,所合成的SiC晶须形貌呈竹节状,选区电子衍射分析发现孪晶等面缺陷在晶须的生长方向上周期性出现;当合成温度在1550 ℃以上时,哑铃状晶须的数量会急剧增多,分析表明晶须表面包裹的串珠小球为β-SiC.在晶须的顶端发现催化剂熔球,由此推测生长机理为VLS机理,但当合成温度超过1550 ℃时,SiC会以VS生长机理沿径向沉积生成哑铃状晶须.