噻吩和3-甲基噻吩共聚膜及复合膜的红外光谱

采用扩散电流控制法,通过限制低氧化电位单体的浓度,从而限制它在高电位下的氧化电流,以达到减少它在聚合物中的相对含量的目的,成功地实现了噻吩(Th)和3-甲基噻吩(MTh)的电化学共聚。红外光谱及循环伏安测定分别表明,电化学共聚噻吩和3-甲基噻吩所制得的导电膜不是均聚物的共混物,共聚的方式也不是嵌段共聚,而更可能是无规共聚。此外,制备了噻吩/3-甲基噻吩导电复合膜,其吸波频率较单一导电聚合物有明显拓宽,在400cm-1～7000cm-1范围内有强的宽吸收。实验结果表明,复合膜的结构、层数、厚度以及层间微结构对红外吸收展宽效应都有影响。     

环糊精包合物存在下聚吡咯微管的合成及表征

分别以β—环糊精和其衍生物为主体分子,在水溶液中与客体分子甲基橙(MO)形成的包合物作为掺杂剂,通过化学方法合成出具有扇形和放射状形态的聚吡咯微管。利用紫外—可见光谱证明了环糊精包合物的形成,通过透射电子显微镜对聚吡咯微管的形态结构进行了表征。