纳米氧化铈的制备及其催化性能的研究

采用两种方法制备了纳米氧化铈材料, 通过X射线衍射分析(XRD), 透射电子显微镜(TEM), 表面吸附(BET)等手段对样品的物化性能进行了表征, 并对纳米氧化铈在三效催化剂中的应用进行了探讨, 通过催化反应试验对其催化性能进行了评价. 结果表明, 制备的样品具有纳米尺度的粒径, 热耐热稳定性好, 高温老化后晶相稳定, 在三效催化剂中应用时, 能有效改善三效催化剂的起燃特性, 催化性能较之普通氧化铈材料有明显提高.     

Pd-Rh型国Ⅲ排放三效催化剂的研制

对满足欧Ⅲ排放限值的Pd-Rh型三效催化剂进行研究开发,测试了新鲜催化剂的空燃比特性和起燃温度特性,并与市场上的欧Ⅲ催化剂在同等条件下老化后的性能进行了比较.对研制的催化剂进行封装总成后,按照GB18352.3-2005标准进行了常温冷起动Ⅰ型和低温冷起动IV型试验,测试结果完全能满足该标准的限值要求.     

CeO_2-ZrO_2-Al_2O_3稀土储氧材料制备工艺的研究

采用化学沉淀法制备了系列CeO2-ZrO2-Al2O3稀土储氧材料,并用BET,XRD和储氧性能测定等表征手段考察了陈化时间、La2O3含量、反应pH和沉淀方式等工艺因素对CeO2-ZrO2-Al2O3比表面积、储氧性能和结构的影响。结果表明:当陈化时间为12 h,反应pH=10时,掺杂2%(质量分数)La2O3的CeO2-ZrO2-Al2O3样品在老化前后均具有很高比表面积和良好的储氧性能,并且pH为影响样品比表面积及热稳定性能的主要因素。与一步法沉淀相比,二步法制得的CeO2-ZrO2-Al2O3样品具有很高的热稳定性能,1050℃老化5 h后的样品比表面积高达46.4 m2.g-1,但储氧性能略差,这与Al2O3对CeO2-ZrO2的结构影响程度有关。     

不同配比的Pd, Pt, Rh三效催化剂性能研究

为了降低催化剂成本, 开发单钯或含钯催化剂是现在汽车尾气净化领域研究热点之一. 本文介绍了不同Pd, Pt,Rh配比催化剂的性能, 包括新鲜的和1100 ℃, 50 h老化后的空燃比特性和起燃温度特性, 并对实验结果进行比较和分析.     

(Ce-Zr-Pr)O2在三效催化剂中的应用

采用共沉淀方法制备了(Ce-Zr-Pr)O2样品,利用XRD,BET对样品进行了表征,并将样品用于三效催化剂的制备,利用实验室配气装置模拟尾气条件,对催化剂性能进行了评价.结果表明,(Ce-Zr-Pr)O2具有立方萤石结构,耐热稳定性较好,所制备的催化剂具有更好的氧化还原活性,表现为起燃温度较低,NOx的净化效率较高.     

稀土催化材料在三效催化剂中的作用

介绍了稀土催化材料在汽车尾气净化三效催化剂中的作用,尤其是氧化铈在催化剂中的氧存储释放功能,其它作用还包括稳定氧化铝载体的比表面积和孔结构,维持贵金属活性组分的良好分散,提高催化剂的活性和抗硫耐铅性能等,并就其作用机制进行了探讨.     

添加剂对铈锆复合氧化物性能的影响

制备了铈锆及含有氧化钇、氧化镧和氧化镨的铈锆复合氧化物,并用XRD和BET手段对新鲜及高温老化后的样品进行了表征.结果表明,制备的样品具有单一的立方晶相,并能耐较高的温度;同时,添加剂能增大铈锆复合氧化物的孔径,提高其耐热性能.     

我国汽车尾气净化催化剂的现状与思考

汽车排放的尾气中含有大量的NOx, HC及CO,对人体十分有害.净化催化剂可以将这些有害物质的绝大部分转化为无害的N2, CO2和H2O.三效净化催化剂主要由堇青石陶瓷蜂窝基体及涂覆其上的活性涂层组成,涂层中主要含有活性氧化铝载体、贵金属活性组分及稀土氧化物等添加剂成分.国外发达国家已广泛使用三效催化剂,正在向超低排放甚至零排放发展.国内新排放法规已颁布并正在实施,但因为各种原因,国产的三效催化剂尚没有大规模应用.国产净化催化剂产业的发展前景十分广阔,但要不断提高研究开发水平、完善产业化技术、实现生产线的高度自动化、实行催化剂生产的现代化管理.     

腭裂语音中齿龈塞音的声门代偿现象声学分析与判定

对齿龈塞音在腭裂语音中的声门塞音代偿现象进行了声学分析,计算频谱分布的多阶统计量—谱矩,并将代偿塞音和正常塞音进行对比。结果显示声门塞音爆破段的第一阶谱矩即频谱质心的频率位置比正常塞音低,因为声门塞音的阻塞部位在声门,导致声道腔体偏长从而共振频率偏低。还观察到声门塞音的第二阶谱矩即标准偏差偏高,说明其谱能量分布比正常塞音更加分散。声门塞音的第三阶谱矩即偏度大多为正值,反映了声门塞音功率谱的非对称性且大头朝向低频区而长尾朝向高频区。采用逻辑回归模型进行样本分类,通过交叉验证选出最优的四阶谱矩作为模型自变量,分类正确率为89.7%。结合塞音爆破时刻自动检测,实现了音节/di/的声门塞音客观判定。      

超高速脉冲晶闸管设计及特性

介绍一种超高速脉冲半导体器件,该器件属于穿通型器件,电压可达到5000V,电流上升率可以达到20kA/μs以上,根据参数调配,脉冲峰值电流可以达到数百kA。该器件采用多元胞集成结构,采用缓冲层与阳极透明层相结合的扩散技术,使其在压降和开通等方面相对于传统的晶闸管原理开关有更强的优势。并且,该超高速脉冲器件在工艺设计及实现上进行了优化,使生产条件易满足。