稀土奥贝蠕铁制取工艺及其性能的研究

稀土奥贝蠕铁可用含稀土的蠕化剂及等温淬火工艺稳定地制取,藉助高温扫描电子显微镜,观察并研究了稀土蠕铁奥氏体化过程及稀土奥贝蠕铁随温度升高时组织的变化。用带有加热装置的万能材料试验等土奥贝蠕铁的各种性能进行了系统测定了如抗拉强度、延伸率、冲吉韧性、热膨胀系数及伸长百分率,结果表明,稀土奥贝蠕铁在室温和高温下均有良好的性能。     

高温溶液法生长SiC单晶的研究进展

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅禁带宽度较大,还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性,在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有很好的应用潜力。高质量、大尺寸、低成本SiC单晶衬底的制备是实现SiC器件大规模应用的前提。受技术与工艺水平限制,目前SiC单晶衬底供应仍面临缺陷密度高、成品率低和成本高等问题。高温溶液生长(high temperature solution growth, HTSG)法生长SiC单晶具有晶体结晶质量高、易扩径、易实现p型掺杂等独特的优势,有望成为大规模量产SiC单晶的主要方法之一,目前该方法的主流技术模式是顶部籽晶溶液生长(top seeded solution growth, TSSG)法。本文首先回顾总结了TSSG法生长SiC单晶的发展历程,接着介绍和分析了该方法的基本原理和生长过程,然后从晶体生长热力学和动力学两方面总结了该方法的研究进展,并归纳了该方法的优势,最后分析了TSSG法生长SiC单晶技术在未来的研究重点和发展方向。