氯离子伏安刻蚀制备高活性多孔银膜及其对三氯乙酸的电化学检测（英文）

采用无机阴离子促进的伏安刻蚀技术在银线表面制备高活性多孔银膜。优选的氯离子在伏安条件下通过微反应刻蚀,促使银丝表面形成自支撑的多孔通道。当在银丝电极上施加连续的正电位后,银电极表面在氯离子作用下快速形成AgCl膜,经施加的电位反向,在电化学还原作用下氯离子剥离,AgCl膜自发转化为自支撑的多孔银膜。研究表明,制备的多孔银膜(p-Ag film)对三氯乙酸具有较高的电催化活性,与原始银丝(r-Ag wire)相比,电化学活性表面积和电催化性能分别提高了174和3.7倍。将其用于三氯乙酸的电化学检测时,在浓度为0.1~518.1μmol·L-1范围内,制备的多孔银膜电极的最低检测限可达70 nmol·L-1(拟合相关性系数R2=0.9983)。