一个含呋喃环顺磁性碳硼烷衍生物的合成及其生成机理

半夹芯16e化合物CpCoS₂C₂B₁₀H₁₀（Cp：cyclopentadienyl）（1）与2-呋喃炔酮在物质的量比为1：1.5时反应分离得到1个顺磁性化合物CpCoS₂C₂B₁₀H₉（C₁₂H₁₀O₂）（2）。在化合物2的合成过程中,一分子1中的Cp环与另一分子1中的B（3）/B（6）位连接;同时,该Cp环与1个2-呋喃炔酮分子发生Diels-Alder反应,生成1个双环[2.2.1]-2-庚烯基结构单元。此外,呋喃炔酮分子中的末端炔基碳原子与原料1中的1个硫原子相连,从而使得产物2中的钴中心离子是个17e中心。化合物2用红外、核磁、元素分析,质谱和单晶X-射线衍射分析等方法进行了表征。晶体属三斜晶系,空间群P1,晶胞参数：a=0.96657（11）nm,b=1.54423（15）nm,c=1.75650（18）nm,α=114.0800（10）°,β=105.433（2）°,γ=98.6390（10）°。     

半夹芯16电子碳硼烷化合物Me4CpCoS2C2B10H10与二茂铁炔酮的反应性

邻位碳硼烷分别与正丁基锂、硫粉和Me₄CpCo(CO)I₂反应合成得到半夹芯16电子碳硼烷化合物Me₄CpCoS₂C₂B₁₀H₁₀ (1).1与二茂铁炔酮在二氯甲烷中反应得到产物{(Me₄CpCoS₂C₂B₁₀H₁₀)[FcC(O)CHCCHCC(O)Fc]} (2)(Fc=二茂铁基).2是一个1:2的加成产物,2个二茂铁炔酮分子以头-尾的方式加成到分子1中的1个Co-S键上.1和2分别用红外、核磁、元素分析、质谱和单晶X-射线衍射等表征方法进行了结构表征.     

不饱和半夹芯式16e化合物Cp*Ir(S2C2B10H10)与邻、间位取代苯基叠氮的反应性

考虑取代基的位置和电子效应对反应体系的影响, 本文系统地研究了16e化合物Cp^*Ir(S₂C₂B₁₀H₁₀) (1)与邻、间位取代苯基叠氮的反应。研究结果表明：与邻、间位取代苯基叠氮反应均生成苯环邻位碳发生C-H 活化形成C-S 键的金属配合物。这些配合物通过核磁(¹H、¹¹B、¹³C)、红外、质谱、元素分析和单晶结构解析进行了全面地表征。在光照反应结果的基础上, 提出了形成这类产物的自由基机理。     

钴(Ⅲ)催化CpCoS2C2B10H10分子内B(3)/B(6)位和Cp配体偶联

半夹芯16e化合物CpCoS₂C₂B₁₀H₁₀(Cp：cyclopentadienyl) (1)与HC≡CCO₂Me在2-甲基二硫代丙酸存在下反应生成化合物{(C₅H₄CoS₂C₂B₉H₉)(CH=CHCO₂Me)(Me₂c=CS₂H)} (2)和(Me₂c=CS₂H)₃Co (3)。在化合物2中, 原料化合物1中的一个S-Co键断裂, 该S原子与一分子HC≡CCO₂Me末端炔基碳原子连接。Co原子与2-甲基二硫代丙酸的S原子连接成键, 2-甲基二硫代丙酸分子中的SH基团与Co原子通过配位键相连;同时, Cp环的一个碳原子与碳硼烷笼体的B(3)/B(6)位相连, 该B(3)/B(6)位的氢原子迁移到炔烃HC≡CCO₂Me的内部炔基碳原子上形成反式烯键。3个2-甲基二硫代丙酸分子中的3个S原子分别与1中的Co原子通过共价键连接, 3个SH基团与Co原子通过配位键相连, 从而形成化合物3。化合物2和3分别用红外、核磁、元素分析、质谱和单晶X-射线衍射分析等方法进行了表征。     

半夹芯16电子化合物CpCo(S_2C_2B_(10)H_(10))与乙炔基二茂铁在甲醇中的反应性

半夹芯16电子化合物CpCo(S2C2B10H10)(1)(Cp:cyclopentadienyl)与过量乙炔基二茂铁(FcC≡CH)(Fc:ferrocenyl)在甲醇中反应,分离得到了化合物(CHCFc)(CH=CFc)(S2C2B9H10)(8)和2个乙炔基二茂铁环三聚产物1,2,4-三二茂铁基苯和1,3,5-三二茂铁基苯。在8中,2个乙炔基二茂铁分子以"头对头"方式聚合连接到CpCo(S2C2B10H10)分子中的2个S原子上,导致CpCo结构单元的丢失。碳硼烷笼体B(3)位上的BH键发生活化,该B原子与1个乙炔基二茂铁分子的乙炔基末端C原子连接生成C-B键;同时,B(6)位的BH碎片在甲醇作用下失去,从而closo-C2B10闭式结构转变成nido-C2B9巢式结构。化合物8用单晶X-射线衍射分析方法进行了表征。     

溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响

以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用室温溅射后续退火磁控溅射工艺制备了Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜.研究了溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:溅射氩气压强不影响薄膜的相结构,但对薄膜的取向生长和结晶质量有一定影响;薄膜的方块电阻随溅射压强的增加先大幅减小后有所增大,溅射气压为2.0 Pa时,薄膜的方块电阻最低;不同溅射气压下制备薄膜的透光范围均已扩展到了紫外区域,而且具有85;以上的高透射率,但溅射气压对薄膜的带隙宽度和透光率没有明显影响;室温下溅射制备的薄膜经真空退火处理后其导电性能显著提高,但在空气中退火处理后其导电性能反而有所下降.     

碱退式辅酶B~1~2类似物的合成和光谱性质

本工作用改进的方法合成了一类新的辅酶B~1~2碱退式类似物-含2'-脱氧核苷钴啉醇酰胺。它们分别是2',5'-二脱氧尿苷钴啉醇酰胺(2'dUrdCbi), 2',5'-二脱氧腺苷钴啉醇酰胺(2'dAdoCbi), 2',5'-二脱氧胞苷钴啉醇酰胺(2'dCytCbi)以及5'-脱氧胸苷钴啉醇酰胺(ThyCbi)。研究了它们的UV-Vis和^1H NMR光谱性质。并且和相应钴胺素的有关性质作了比较。     

利用邻-碳硼烷可变的C-C键实现发光分子从ACQ到AIE转变

利用邻-碳硼烷骨架中可变的C-C键,将在聚集态会发生猝灭（ACQ）的传统发光分子和具有振动自由度的碳硼烷基团连接起来,合成了带有聚集诱导发光（AIE）效应的邻-碳硼烷基发光分子。通过紫外可见吸收光谱、DFT计算、发射光谱及晶体结构测定等手段,研究了邻-碳硼烷可变的C-C键对化合物性质的影响。结果表明,在邻-碳硼烷骨架的碳原子上引入不同的取代基可以改变C-C键的振动特性,从而能够调控化合物的发光性质,并有效实现从ACQ到AIE的转变。     

半夹芯式16电子化合物CpCo(S_2C_2B_(10)H_(10))与重氮乙酸乙酯及联烯三元反应体系

半夹芯式碳硼烷16e金属有机化合物Cp Co(S2C2B10H10)与重氮乙酸乙酯及联烯在室温下反应,生成化合物1和2。在化合物1和2中,一分子重氮乙酸乙酯与一分子联烯以头-头方式插入Co-B键之间使碳硼烷B(3)/(6)位发生B-H键活化生成B-C键,另有一分子重氮乙酸乙酯使Co-S断裂形成硫叶立德。分别采用红外、核磁、元素分析、质谱和单晶X射线衍射等表征方法对化合物1和2进行了结构表征。     

碳硼烷硼氢键选择性官能团化的研究进展

由于独特的三维立体结构、硼含量高、良好的热稳定性和化学稳定性等特点,碳硼烷及其衍生物在材料、催化、医药、超分子和配位化学等领域应用广泛,因此发展高效、高区域选择性的碳硼烷B-H键的官能团化的方法学备受硼化学家的关注。本文对近年来碳硼烷B-H键的官能团化的反应类型及相关反应机理予以论述,希望为后续研究提供可靠的参考。