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1.
不同产地珠子参中微量元素含量分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
分析不同产地珠子参中微量元素的含量变化情况。应用电感耦合等离子体-原子发射光谱法(ICP-AES)测定不同产地珠子参中Ca、Cr、Cu、Fe、Ga、Li、Mg、Mn、Ni、Sn、Sr、Ti、Tl、V、Zn、Pb 16种微量元素的含量。结果表明,不同产地珠子参中各微量元素含量有所差异,陕西宁强产珠子参中Ca、Mg、Mn、Zn、Cu等含量高于其他产地。珠子参中微量元素的含量与产地的土壤、水质等有关。  相似文献   
2.
3.
在前期通过n+-Si衬底中的磷向沉积于其上面的ZnO薄膜的扩散制备高掺磷p型ZnO薄膜的研究基础上,探索了较有普遍应用意义的扩散法制备p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺.结果表明,当磁控溅射的氧氩质量流量比与衬底温度满足特定的低阶指数函数的匹配关系时,所制备的ZnO薄膜为p型,而且薄膜中磷原子的深度分布是均匀的;另外,这种薄膜的厚度随着氧氩流量比的增加而减小,而薄膜中氧锌原子浓度比都大于1,比值大小与氧氩质量流量比和衬底温度有关.  相似文献   
4.
在前文工作的基础上,结合MNDO/EHMO分子轨道方法和自然杂化轨道方法,具体计算了C-C键和C-P键的核自旋偶合常数.计算结果表明,1JCC1JCP主要由成键原子的轨道杂化作用和键极性这两种结构因素所决定.为从简单价键理论角度解释和计算1JCC1JCP值提供了简便直观的方法.  相似文献   
5.
罗建  湛雅倩  马定坤 《应用声学》2008,27(2):108-112
由于舰船三个特定部位(尾部、中后部、中部)的辐射噪声具有明显不同的功率谱特征,利用这些特征具有实际的意义。我们采用简化的近距离舰船辐射噪声三亮点模型来逼近舰船这三个特定部位的辐射噪声中的连续谱结构,采用时间滑动的卷积算法来重构舰船某一辐射噪声源的噪声序列,重构的噪声序列同时具有要求的幅度概率分布和功率谱形状。在重构不同辐射声源时域信号的基础上,对舰船辐射噪声的通过特性以及三个辐射噪声源在不同的接收位置的影响进行了仿真。仿真结果与实测的某型舰船的通过频谱结果相比较,表明其频域特征是大体一致的。  相似文献   
6.
湛渊源  杜宗岳  黄兆龙 《电化学》2005,11(3):277-283
应用ASTM C1202-93氯离子电渗法研究混凝土的防蚀性能,透过“致密配比法”及AC I 318-89设计与拌制混凝土,硬固后过91 d量测6 h的电量(Cou lombs).结果显示AC I配比法没因有添加卜作岚材料而使拌和水量太多,无论何种水胶比,电渗量都大于2 000 C,甚至高达10 000 C以上.“致密配比法”设计之混凝土,随着水泥浆量(Vp)少,而拌和水量(W)愈低,添加适量的卜作岚材料及低水胶比的氯离子,电渗量均小于2 000 C,甚至低于1 000 C以下,呈现出优异的防蚀耐久性.  相似文献   
7.
制备工艺对P型ZnO薄膜微观结构和电学特性的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文报道溅射工艺、退火工艺和冷却方式对磷扩散法制备的P型ZnO薄膜的微观结构和电学特性的影响的实验研究.研究结果表明,ZnO薄膜的表面形貌、结晶度、内应力以及电学特性均与制备工艺条件有密切的关系.文章对这些关系的机理做了探讨和分析.  相似文献   
8.
掺镱光纤是高功率激光器的核心材料,但在高能射线辐照后其应用性能会显著下降,因此有必要对掺镱光纤材料在辐照环境下的性能变化进行深入研究。采用改进型化学气相沉积法结合稀土螯合物掺杂制备了系列光纤预制棒及光纤,测试了光纤在不同剂量下射线辐照前后的高功率输出性能,以及光纤预制棒辐照前后的吸收光谱及镱离子荧光寿命。结果表明:小剂量辐照后掺镱光纤的高功率输出显著下降,通过预制棒吸收光谱可看出主要是因为伽马辐照后使掺镱光纤材料中Al的相关缺陷浓度增多,在可见光区域吸收损耗增加。Ce离子的掺杂通过缓减辐致铝氧空位中心(Al-OHC)色心缺陷的增加,减少Yb离子荧光寿命的下降,可在一定程度上抑制高功率掺镱光纤的辐致暗化。  相似文献   
9.
采用盐酸水溶液处理BiVO4 的方法获得增强的光催化活性. 在0.1 mol·L-1 酸溶液中浸渍反应6 h,BiVO4 的可见光催化降解苯酚的活性提高了3.5 倍. 采用X 射线衍射(XRD), 扫描电镜(TEM)和漫反射光谱(DRS)等表征手段研究处理后样品的晶相组成和表面形貌, 结合不同酸和氯化物处理的对照实验, 结果表明,在H+和Cl-的协同作用下, BiVO4表面部分溶出并以BiOCl 沉积, 形成了表面具有凹陷沟壑的BiVO4颗粒与片状结构BiOCl 的复合物. 采用悬浮液光电压法测定BiOCl 平带电位, 通过BiVO4和BiOCl 的能带分析及其混合颗粒的光催化活性测试, 确证二者间不存在颗粒间电子转移效应. 增强的光催化活性主要归因于BiVO4表面形成了有助于光生电荷迁移的凹凸不平结构. 这种表面处理方法有望成为一种增强半导体化合物光催化活性的有效途径.  相似文献   
10.
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