Eu2+/Mn2+激活的M3MgSi2O8-M2SiO4(M=Ba,Ca)荧光粉的发光特性

采用高温固相法制备了Eu2+/Mn2+单激活和共激活的M3MgSi2O8-M2SiO4(M=Ba,Ca)两相荧光粉.通过X射线衍射(XRD)和荧光光谱(PL)对样品材料的晶体结构和光谱性能进行了表征.XRD测试结果表明所合成的样品具有M3MgSi2O8和M2SiO4两种晶相结构.PL测试显示,Eu2+在Ba3MgSi2O8-Ba2SiO4体系中发射442和502nm两个波带的光;而Eu2+在Ca2+部分取代Ba2+的BaCa2MgSi2O8-Ba1.31Ca0.69SiO4体系中发射420～520nm的连续波带,并且激发光谱向长波扩展,更加适用于被InGaN芯片(395 nm)激发.通过改变Mn2+的掺杂量可制得颜色可调的BaCa2MgSi2O8-Ba1.31Ca0.69SiO4:Eu2+,Mn2+白光荧光粉.     

非均相沉淀法制备的Sr3-xSi1-xAlxO5∶xCe3+ 荧光粉及其发光性能

采用非均相沉淀法制备了Sr_3-xSi_1-xAl_xO₅∶xCe³⁺荧光粉,并与高温固相法制备的该荧光粉进行了对比。以XRD、SEM和荧光光谱分析来表征所制备的荧光粉。结果表明,非均相沉淀法比高温固相反应法制备的荧光粉相纯度更高,颗粒分布更窄,晶面清晰,团聚程度小,相对发光强度也更高。荧光粉的激发光谱为270~500 nm的双峰宽带,最强激发峰位于417 nm处。发射光谱为450~700 nm的单峰宽带,峰值位于525 nm处。电荷补偿剂对荧光粉相对发光强度影响较大,外加Al³⁺置换Si⁴⁺作为电荷补偿剂比外加Li⁺置换Sr²⁺的效果更好。