γ干扰素免疫电极及其响应机理的研究

在醋纤维孔膜上利用溴化氰固定了马抗人γ干扰素抗体。抗体膜经竞争性温育反应后置于碘离子选择电极上而构成免疫电极; 另一碘电极与参比膜作为参比电极。测定了电极在0.1mmol.dm^-3KI+4.4mmol.dm^-3H2O2+0.1mol.dm^-3柠檬酸盐,PH5.0缓冲液中响应电位, 研究了温度反应时间、电解液组成等因对电极响应影响,提出了电极向应线性化方法, 并得到了实验验证。     

三联吡啶修饰的新型苯并二噻吩电子给-受体分子的合成及性能研究

以4,8-二酮苯并［1,2-b：4,5-b′］二噻吩为原料,合成了两种新型的2,2′ ∶6′,2″-三联吡啶修饰的苯并二噻吩电子给-受体结构分子(M1和M2),其结构经¹H NMR, ¹³C NMR, IR和元素分析表征。用UV-Vis, FL, TGA和CV研究了M1和M2的性能。结果表明：M1和M2均具有良好的热稳定性,热分解温度(T₅)分别为335 ℃和430 ℃。由于电子给-受体结构的存在,M1和M2均表现出明显的分子内电荷转移跃迁(ICT),其最大吸收峰分别为446 nm和468 nm,荧光发射峰分别为517 nm和552 nm;起始还原电位分别为-0.57 eV和-0.62 eV,起始氧化电位分别为0.69 eV和0.87 eV。     

免疫电化学方法测定γ干扰素

利用溴化氰把马抗人γ干扰素抗体交联在醋酸纤维微孔膜上，３７℃下经与γ干扰素样品液温育反应１ｈ后，在免疫电极上测量了抗体膜膜电位，观察到膜电位与γ干扰素浓度对数呈正比，研究了膜电位与温育反应时间关系。     

新型含苯并二噻吩与苯并二吡咯酮基元的 D-A共聚物的合成及性质

采用苯并二吡咯酮作电子受体单元，在钯催化下，与不同取代基修饰的电子给体单元苯并二噻吩进行Stille偶联聚合反应，合成了两种新型的电子给受体（D-A）聚合物(P1和P2)，其结构和性能经UV-Vis, ¹H NMR, ¹³C NMR,元素分析，GPC, CV和TGA表征。结果表明：薄膜态P1和P2在300~800 nm表现出较强吸。P1和P2的低能端吸收峰值分别位于621 nm和616 nm。氧化峰分别位于0.41 V和0.46 V，能隙分别为1.41 eV和1.36 eV。