芳基吡啶酮腙类化合物的设计、合成及杀菌活性研究

以吡啶二芳酮为分子插件,以嘧菌腙为母体化合物设计并合成了一系列新型芳基吡啶酮腙类化合物.产物结构经~1HNMR、~(13)CNMR及HRMS确认,并采用生长速率法对所有化合物进行了离体抑菌活性测试.结果表明:在浓度为70μmol/L时,大部分化合物对所选8种病菌具有一定的抑制活性,其中2'-甲基乙酰基苯-4,6-二甲氧基嘧啶-2-腙(Ⅲ-3)和2-(2'-((4'-溴-苯基)(3'-氯-吡啶-4'-基)-亚甲基)-肼基)-4,6-二甲氧基嘧啶(Ⅲ-18)对病原菌抑制效果明显高于对照药嘧菌腙.Ⅲ-3对番茄灰霉病菌EC50为22.18μmol/L(嘧菌腙为31.38μmol/L), Ⅲ-18对水稻纹枯病菌EC50小于0.35μmol/L,比对照药嘧菌腙提高了260倍以上.     

“ 及时教学法”在大学物理的初步应用

J u s ti n T i meT e a c h i n g是建立在“ 基于网络学习任务” ( We b b a s e ds t u d ya s s i g nme n t ) 和“ 学习者的 主动学习课堂” ( A c t i v el e a n e rc l a s s r o o m)二者交互作用基础上的一种新型教与学的方法. 为研究学生对此教学法 的满意程度、 J i TT对课堂和学生学习的影响, 我们对实施J i TT教学模式的大学物理课堂的学生进行了问卷调查, 力图找出我们目前实施的J i TT教学模式的优势与不足, 以达到完善教学内容, 改进教学的目的     

J i TT和P I模式在大学物理教学中的初步整合研究

本文在分析了J i TT和P I教学模式的基础上, 阐述了将J i TT和P I两者整合的优势与教育意义, 探讨了 J i TT和P I整合于大学物理教学的实施过程和初步实施成效, 最后总结了有效实施策略, 并对近一步研究提出了展 望     

原子层沉积Al2O3/n-GaN MOS结构的电容特性

利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电 极的Ni/Au/Al₂O₃/n-GaN金属-氧化物-半导体结构, 研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响, 分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源. 在无光照情形下, 由于极长的电子发射时间与极慢的少数载流子热产生速率, 样品的室温电容-电压扫描曲线表现出典型的深耗尽行为, 且准费米能级之上占据深能级界面态的电子状态保持不变. 当器件受紫外光照射时, 半导体耗尽层内的光生空穴将复合准费米能级之上的深能级界面态电子, 同时还将与氧化层内部的深能级施主态反应. 非理想样品积累区电容的下降可归因于绝缘层漏电导的急剧增大, 其诱发机理可能是与氧化层内的缺陷态及界面质量有关的“charge-to-breakdown”过程. 关键词： 原子层沉积 2O₃/n-GaN')" href="#">Al₂O₃/n-GaN 金属-氧化物-半导体结构 电容特性