共沉淀法制备六方相ITO纳米粉体及其光电性能

以金属In、SnCl_4·5H_2O为原料、尿素为沉淀剂,采用共沉淀法加入(NH_4)_2SO_4,制备出六方相ITO纳米粉体。通过XRD、TEM、四探针电阻仪、荧光光谱仪以及XPS,研究了ITO粉体的晶型、颗粒形貌、电性能以及光性能。结果表明:加入(NH_4)_2SO_4后,ITO粉体形貌由类菱面体和类球形混合体转变为类球形;不加(NH_4)_2SO_4时晶型为立方相结构,当(NH_4)_2SO_4与铟的物质的量之比为1∶3.45和1∶1.73时粉体晶型转变为六方相结构,继续添加(NH_4)_2SO_4晶型又转变为立方相结构。立方相ITO粉体的电阻率较低为0.64Ω·cm,六方相ITO粉体在相同激发波长下,发射光强度相对较高。     

共沉淀法制备六方相ITO纳米粉体及其光电性能

以金属In、SnCl₄5H₂O为原料、尿素为沉淀剂,采用共沉淀法加入（NH₄）₂SO₄,制备出六方相ITO纳米粉体。通过XRD、TEM、四探针电阻仪、荧光光谱仪以及XPS,研究了ITO粉体的晶型、颗粒形貌、电性能以及光性能。结果表明：加入（NH₄）₂SO₄后,ITO粉体形貌由类菱面体和类球形混合体转变为类球形;不加（NH₄）₂SO₄时晶型为立方相结构,当（NH₄）₂SO₄与铟的物质的量之比为1：3.45和1：1.73时粉体晶型转变为六方相结构,继续添加（NH₄）₂SO₄晶型又转变为立方相结构。立方相ITO粉体的电阻率较低为0.64 Ωcm,六方相ITO粉体在相同激发波长下,发射光强度相对较高。     

立方形貌ITO粉体的水热法制备及光电性能

以金属In和SnCl_4·5H_2O为原料,采用水热法在120~140℃得到In(OH)_3前驱体,该前驱体在550℃下煅烧得到立方体形貌的氧化铟锡粉体.研究了水热反应温度和反应时间对粉体形貌和晶型的影响.通过热分析仪(TG-DSC)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、透射电子显微镜(TEM)、四探针电阻仪、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见-近红外分光光度计以及荧光光谱仪对粉体进行了表征,并对水热反应条件为140℃及12 h下制备的c-ITO的光电性能进行了分析.结果表明,随着水热反应温度的升高,ITO粉体形貌由立方体向不规则形貌转变,粉体晶型出现少量的六方相.在水热反应条件为140℃,12 h,铟离子与尿素的摩尔比为1∶5时,得到平均粒径为230 nm的立方体ITO粉体,其电阻率为1.247Ω·cm,光学能带间隙为3.685 e V,与c-In2O3相比其能带间隙更高,室温下260 nm激发波长下粉体出现光致发光,发射峰位于蓝光区域.