用Zn/F离子先后注入和热退火法实现ZnO量子点的可控生长

将Zn/F离子先后注入到非晶二氧化硅中并分别在400,600,700 ℃下进行了退火.用光学吸收谱、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对退火的样品进行分析,发现在600 ℃退火后ZnO量子点已经形成.二次离子质谱仪(SIMS)测试发现在溅射时间为2 s时Si,Zn元素同时出现,说明没有在衬底的表面形成ZnO薄膜.从原子力显微镜(AFM)图像看到有少量的颗粒被蒸发到衬底的表面,说明在衬底的内部形成了ZnO量子点.F离子注入的作用为在衬底的内部形成ZnO量子点提供了O2分子.     

高反应浓度下制备不同形貌氧化亚铜的简易方法

在常压,70 ℃,高反应浓度和不加任何添加剂的条件下,硫酸铜经与NaOH反应后用葡萄糖还原获得了球形、立方体、多面体、星形和正八面体形貌的Cu₂O粒子。用X射线粉末衍射,扫描电镜和激光粒度仪对所制备的产品进行了表征。改变反应原料的加料方式和NaOH的浓度可获得不同形貌的Cu₂O粒子。在恒温下先加NaOH溶液再加浓度为0.1 g·mL^-1的葡萄糖溶液的分步加料方式下,当NaOH的浓度依次为0.15、0.225、0.3和0.45 g·mL^-1时分别得到立方体、多面体、星形、和正八面体;在室温下,NaOH 和葡萄糖分步加料后程序升温,得到球形;恒温,氢氧化钠和葡萄糖同时加料方式下产物主要为球形。     

阳极氧化铝(AAO)模板法制备Cd(OH)2和CdO纳米棒

一维纳米材料如纳米管、纳米棒和纳米线等由于其独特的性质及其潜在的应用前景而引起了人们广泛的关注[1,2].近几十年来,合成和表征一维纳米材料取得了很大的进步,迄今为止,已有许多合成纳米材料的方法[3,4],但是这些方法往往需要多个步骤,操作复杂,条件苛刻.