脉冲激光沉积CrP薄膜及其电化学性能

采用脉冲激光溅射Cr和P粉的混合靶成功制备了CrP薄膜,选区电子衍射(SAED)和光电子能谱(XPS)分析显示经过真空原位400℃退火以后,薄膜主要由多晶态的CrP组成。非原位HRTEM和SEM测试结果表明CrP薄膜在充放电前后的形貌有较大的改变。SAED、充放电和循环伏安测试证实了CrP和锂的电化学反应机理如下：CrP在Li⁺的驱动下,生成了Cr和Li₃P。在其后的充放电过程中,发生了Li在LiP中可逆的嵌入和脱出反应。由于CrP首次容量高达1 168 mAh·g^-1以及在0.7 V左右具有平稳的放电平台,显示了它可能成为一种新型的锂离子电池的负极材料。     

脉冲激光沉积掺杂二氧化硅的钴酸锂正极薄膜材料

采用脉冲激光溅射的方法成功制备了掺杂二氧化硅的钴酸锂薄膜电极。结合SEM, XRD,HRTEM,SAED,EDX,充放电,以及循环伏安等手段对其形貌,结构与电化学性能进行了研究。结果表明,掺杂了二氧化硅的钴酸锂电极薄膜在电化学反应的过程中具有结构刚性,放电平台稳定,极化较小等优点,因此可能成为一种优良的二次锂离子正极材料。