CO_2激光边带光谱仪用于SF_6分子v_3带Q支吸收谱的研究

用绝对频率精度优于1.2MHz的CO_2激光边带光谱仪记录了SF_6分子v_3带Q支的多普勒受限吸收谱,光谱范围在CO_2激光10P(16)支线中心两侧,距支线中心8.0～12.4 GHz。用内插法以<6MHz的均方误差测量了百余条跃迁谱线的频率,并标识出Q_Z、Q_R、Q_X、Q_W、Q_A等亚支的谱线,量子数J从26到83。用最小二乘法拟合实验数据得到了v_3带的部分光谱常数。     

SF_6分子V_3带P、R支高分辨吸收光谱

在四个全新频段内记录下SF_6分子吸收光谱,光谱分辨率达多普勒极限;所得108条谱线被分别归属为SF_6v_3振动带的P(29)～P(26)、P(39)～P(36)、R(20)～R(23)、R(334)～R(40).     

腔外多普勒频率调制激光稳频方法的研究

利用腔外气体吸收池内的SF_6分子饱和吸收线作为参考频率,并通过振动腔外反射镜使进入吸收池的激光的频率受到多普勒调制,实现了对CO_2激光10P(16)和10P(18)支线频率的闭环锁定,最大频率漂移约为7kHz.该法得到的稳频激光输出不仅无寄生频率调制和幅度调制,并且可将激光频率锁定在独立的分子吸收线中心.     

CO2激光可调谐边带的获得及特性测量

采用由CdTe晶体构成的微波行波调制器,实现了用可调微谐波对CO_2激光的高频电光幅度调制,在CO_2激光各输出支线的两侧可产生4.4GHz范围内连续调谐且频率可直读的边带.对边带特性进行了测量,结果与理论预期符合得较好.     

等离子体基低能离子注入的光谱诊断

采用发射光谱（ＯＥＳ）技术系统地研究了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体基低能离子注入的等离子体特性。结果表明：纯氮气形成的等离子体中的活性粒子主要是Ｎ２和Ｎ＋２，等离子体中电子与气体分子碰撞使Ｎ２产生激发和电离，而使Ｎ２离解的作用很小；氮氩混合气形成的等离子体中，随着氩气分压的增加，Ｎ２和Ｎ＋２的浓度降低，同时氩气对氮分子离解的贡献很小；直接施加于试样的脉冲负偏压对等离子体特性没有明显影响，但存在着一定的溅射作用。