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1.
研究了用成形滤纸片薄样X射线荧光光谱法测定铝合金中的镧、铈、镨、钕、钐。方法具有准确、快速、简便、经济等优点。各元素的测定灵敏度为La 48054,Ce 65923,Pr 93953,Nd 62622,Sm107630 cps/(mg/cm~2)。定量分析下限约为0.xμg/cm~2。  相似文献   
2.
董刚  刘荡  石涛  杨银堂 《物理学报》2015,64(17):176601-176601
本文主要讨论了多个硅通孔引起的热应力对迁移率和阻止区的影响, 得到了器件沟道沿[100]方向时, 硅通孔之间的角度和间距对电子迁移率和阻止区的影响. 设定两种阻止区区域, 即迁移率变化分别为5%和10%的区域, 且主要考虑相邻TSV之间的区域. 仿真结果表明: 当硅通孔和X轴所成角度为π/4时, 电子迁移率变化和阻止区区域最小, 但是可布置器件区域不规则, 不易于布局. 随着间距的增加, 电子迁移率变化和阻止区区域逐渐增大, 趋向于单个TSV的情况; 当角度为0 时, 电子迁移率变化和阻止区区域变大, 可布置器件区域为硅通孔围成的中心小区域上, 形状比较规则, 便于布局. 而且随着间距的增加, 电子迁移率变化和阻止区区域越来越小, 趋向于单个硅通孔的情况.  相似文献   
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