倒锥形抗反射表面微结构的构筑

利用Langmuir-Blodgett(LB) 技术在单晶硅表面转移岛状硬脂酸单层膜图案, 通过各向异性的湿法刻蚀构筑倒锥形表面微结构. 倒锥形结构的深度及表面抗反射性能主要与刻蚀的时间有关. 这种方法结合了自组装面积大和湿法刻蚀成本低的优点, 是一种廉价、高效的制备大面积抗反射微结构的方法, 在降低光学器件和太阳能电池的成本方面具有潜在应用价值.     

精氨酸残基在质子化多肽RRMKWKK的气相碰撞诱导解离过程中的作用

用ESI/MS-MS方法研究了质子化多肽RRMKWKK 在低能气相碰撞诱导解离(CID)条件下的碰撞能和解离路径. 研究结果表明, [M+2H]2+和[M+3H]3+的CID断裂曲线和断裂位点相似. 但质子化多肽所含正电荷个数不同时, 产生同一碎片离子的初始碰撞能不同. 碱性氨基酸残基精氨酸(Arg)的支链是多肽RRMKWKK质子化时质子优先结合的位点, 导致含有Arg的多肽在气相碰撞诱导解离条件下解离时需要较高的碰撞能. 在用质谱方法研究含精氨酸残基的多肽时应选择质子个数比多肽中Arg个数多1个的母体离子. 质子化多肽RRMKWKK的结构AM1计算结果表明, 质子化RRMKWKK中两个相邻精氨酸在空间上相互分离, 库伦斥力的影响不足以改变质子的优先结合位点.