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1.
用乙醇从铜绿微囊藻中提取叶绿素a并用分光光度法测得提取液中叶绿素a的质量浓度为1 902.5μg·L-1,以叶绿素a作为标准物质,用荧光光度法测定叶绿素含量。叶绿素a的质量浓度在30~1 800μg·L-1范围内与荧光强度呈线性关系。试验表明:该提取液在冰箱4℃条件下保存,5h内其荧光值的相对误差为±2.5%;在pH 3~9范围内应用时,荧光值的相对误差为±5.0%;在温度5℃~30℃范围中使用时,荧光值的相对误差为±3.0%,证明提取液的稳定性能满足使用要求。与叶绿素标准品同时测定了5个水样中的叶绿素含量,经t检验所得结果之间无显著差异,说明可用叶绿素a代替叶绿素标准品作为荧光光度法中的基准物质。 相似文献
2.
以微囊藻毒素(MC)-LR为模板,甲基丙烯酸(MAA)为功能单体,通过可逆加成-断裂链转移(RAFT)自由基聚合技术,在凹凸棒土(ATP)表面制备了磁性分子印迹聚合物,并通过溶胶-凝胶法将分子印迹聚合物作为涂层介质制作搅拌棒。同时通过红外吸收光谱和扫描电镜等对印迹聚合物进行了结构和形貌的表征,并用液相色谱研究了搅拌棒涂层对水体中微囊藻毒素的吸附性能。结果表明,在最佳萃取条件下,分子印迹搅拌棒涂层对MC-LR具有较高的选择性能,在0.010~5.0 mg/L范围内线性关系良好(r2>0.997),检出限(S/N=3)可低至0.27 μg/L。MC-LR加标水平为20.0~80.0 μg/L的回收率范围为83.33%~100.07%,相对标准偏差(RSD)为1.40%~9.17%。该方法快速、灵敏、选择性高,可用于环境水体中微囊藻毒素的分析检测。 相似文献
3.
利用炭吸附溶胶凝胶法,以钛酸丁酯为钛源,氧化铋为铋源制备氧化铋含量为10;(质量分数)的纳米Bi2O3/TiO2复合粉体.通过热重/差热仪(TG-DTA)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)和紫外可见光谱仪(UV-Vis)等对所得催化剂的焙烧温度、物相、微粒尺寸及光吸收性能进行表征.结果表明:炭黑的吸附有效阻止了纳米Bi2O3/TiO2复合粉体在制备、干燥以及焙烧过程的团聚和烧结,制得的粉体颗粒均匀,分散性好,团聚较少,经600℃焙烧的粉体,平均颗粒直径约为18.8 nm,比表面积约为86.52 m2/g.亚甲基蓝紫外光催化反应结果表明,在50 min内亚甲基蓝在Bi2O3/TiO2催化剂上几乎完全分解. 相似文献
4.
5.
6.
本文研究了各种Ti(Ⅳ)化合物:Ti(OR)_4(R=Et,~iPr,~nBu),TiCl_4,CP_2TiC_2,Cp_2Ti(OPh)_2对Meerwein-Ponndorf-Verley-Oppenauer反应的催化活性。试验表明Ti(O~iPr)_4对还原反应显示出极好的催化活性,还原苯甲醛,对氯苯甲醛,对硝基苯甲醛,对甲氧基苯甲醛,糠醛,巴豆醛的产率可达80%以上。Ti(OEt)_4对氧化反应有良好的催化活性,对正辛醇,2-辛醇,苯甲醇,环已醇,肉桂醇的氧化产率在69%以上。同时还考察了各种参数对反应的影响。 相似文献
7.
8.
Self-screening of the polarized electric field in wurtzite gallium nitride along [0001] direction 下载免费PDF全文
Qiu-Ling Qiu 《中国物理 B》2022,31(4):47103-047103
The strong polarization effect of GaN-based materials is widely used in high-performance devices such as white-light-emitting diodes (white LEDs), high electron mobility transistors (HEMTs), and GaN polarization superjunctions. However, the current researches on the polarization mechanism of GaN-based materials are not sufficient. In this paper, we studied the influence of polarization on electric field and energy band characteristics of Ga-face GaN bulk materials by using a combination of theoretical analysis and semiconductor technology computer-aided design (TCAD) simulation. The self-screening effect in Ga-face bulk GaN under ideal and non-ideal conditions is studied respectively. We believe that the formation of high-density two-dimensional electron gas (2DEG) in GaN is the accumulation of screening charges. We also clarify the source and accumulation of the screening charges caused by the GaN self-screening effect in this paper and aim to guide the design and optimization of high-performance GaN-based devices. 相似文献
9.
10.