低温热氧化法制备Bi_2Mo_3O_(12)介质薄膜

通过直流磁控溅射法在Si/Si O_2/Pt基片表面沉积摩尔比为2∶3的Bi/Mo多层薄膜。系统研究了热氧化温度对上述薄膜的物相组成、微观形貌、介电性能的影响。X-射线衍射(XRD)数据表明,420~480℃可热氧化形成介质薄膜。420℃氧化,薄膜的物相为Bi_2O_3、Mo O_3、Bi_2Mo O_6和Bi_2Mo_3O_(12);450℃和480℃氧化,薄膜的主相均为Bi_2Mo_3O_(12),另有少量Bi_2Mo O_6存在。扫描电镜(SEM)观察结果显示,薄膜在450℃即已致密、均匀。介电性能测试结果显示,480℃氧化的介质薄膜,具有较优的介电性能:1 k Hz测量,介电常数约15.6,介电损耗约0.65%;5.55 k V/mm电场强度下,漏电流密度约3.4×10~(-7) A/mm~2。考虑到Bi/Mo薄膜极低的成膜温度(480℃)及直流磁控溅射Bi/Mo金属薄膜较大的沉积速率(92 nm/min),直流磁控溅射Bi/Mo金属薄膜,然后热氧化成Bi_2Mo_3O_(12)介质薄膜,在工业上具有应用价值,有望应用于嵌入式薄膜电容器的制备。     

电化学沉积金锡合金及其性能研究

以柠檬酸金钾和氯化亚锡为主要原材料,配制Au~+及Sn~(2+)浓度分别为8 g/L和10 g/L的溶液,在不同电流密度下通过电化学沉积获得金锡合金镀层。通过X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、微区元素成分分析(EDS)及差示扫描量热分析(DSC)等手段对镀层的物相、微观形貌、金含量及熔融性能进行了系统研究。结果表明,电流密度0.030～0.045 mA/mm~2为最佳电流密度范围,可获得熔融温度约280℃、焊接性能良好的金锡合金镀层。     

低温热氧化法制备Bi_2O_3薄膜及其热氧化机理研究

通过直流磁控溅射法在Si基片表面沉积Bi薄膜,然后置于氧气中加热。系统研究了热氧化温度对上述薄膜的物相组成、微观形貌的影响。X-射线衍射(XRD)结果表明,Bi薄膜可在200~270℃氧化形成Bi_2O_3薄膜。不同温度、不同氧化时间,样品的质量变化表明,磁控溅射沉积的Bi金属薄膜热氧化形成Bi_2O_3薄膜,遵循Mott-Cebrera热氧化机理。