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1.
Jin  Zhuochen  Cao  Nan  Shi  Yang  Wu  Wenchao  Wu  Yingcai 《显形杂志》2021,24(2):349-364
Journal of Visualization - The increasing availability of spatiotemporal data provides unprecedented opportunities for understanding the structure of an urban area in terms of people’s...  相似文献   
2.
低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值。采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究。硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布,纳米线的原子间键长和键角发生明显改变。纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响。纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关。纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响。  相似文献   
3.
4.
本文用含时密度泛函理论研究了线性Na原子链的表面等离激元机理.主要在原子尺度下模拟计算了体系随着原子数增加及原子间距变化的集体激发过程.研究发现线性原子链有一个普遍的特性——存在一个纵模和两个横模.两个横模一般在实验上很难被观测到.纵模随着原子链长度增加,能量红移的同时,该纵模主峰的强度呈线性增长.随着原子个数的增加,端点模式(TE)开始蓝移,能量和偶极强度都逐渐趋向饱和.横模能量被劈裂的原因概括如下:(一)每个位置的电子受到的势不同,在两端的电子受到的势要比在中间的电子受到的势要高,因此两端的电荷积累也比中间多;(二)端点存在悬挂键,所以中间的电子-电子间相互作用与端点的不一样,这两方面又都与原子间距d有关.  相似文献   
5.
采用传统固相反应法制备了Ca0.9(NaCe)0.05Bi2 Nb2 O9铋层状无铅压电陶瓷.采用XRD、SEM、EDS及相关电学性能测试系统表征了样品的晶体结构、断面形貌、元素组成以及介电、压电、铁电等性能,探究不同烧结温度对于陶瓷性能的影响.结果表明:当烧结温度为1150℃时,样品的晶体结构单一均匀,呈现片层状结构,致密性较好,压电常数高达17 pC/N,介电损耗仅为0.42;,居里温度为908℃,并且具有很好的温度稳定性,说明固相反应法制备的Ca0.9(NaCe)0.05Bi2Nb2O9压电陶瓷最佳烧结温度为1150℃.  相似文献   
6.
量子自旋液体是最近几年刚被人们证实除铁磁体、反铁磁体之外的第三种磁性类型,因其有望解释高温超导的运行机制、改变计算机硬盘信息存储方式而在物理、材料等领域备受关注。自旋阻挫作为量子自旋液体的最小单元可能是解开量子自旋液体诸多问题的钥匙,所以在磁学、电学研究领域再一次成为人们研究的热点。基于文献报道的三核铜配合物[Cu3(μ3-OH)(μ-OPz)3(NO3)2(H2O)2]·CH3OH(1),我们合成了三维金属有机框架配合物{[Ag(HOPz)Cu3(μ3-OH)(NO3)3(OPz)2Ag(NO3)]·6H2O}n(2)(HOPz=甲基(2-吡嗪基)酮肟),并从自旋阻挫的角度对二者磁性质进行对比和详细分析。磁化率数据表明自旋间有很强的反铁磁相互作用和反对称交换。通过包含各向同性和反对称交换的哈密顿算符对两者磁学数据进行拟合并研究其磁构关系,所获最佳拟合参数为:配合物1:Jav=-426 cm^-1,g⊥=1.83,g∥=2.00;配合物2:Jav=-401 cm^-1,g⊥=1.85,g∥=2.00。  相似文献   
7.
Incorporation of a non-hexagonal ring into a nanographene framework can lead to new electronic properties. During the attempted synthesis of naphthalene-bridged double [6]helicene and heptagon-containing nanographene by the Scholl reaction, an unexpected azulene-embedded nanographene and its triflyloxylated product were obtained, as confirmed by X-ray crystallographic analysis and 2D NMR spectroscopy. A 5/7/7/5 ring-fused substructure containing two formal azulene units is formed, but only one of them shows an azulene-like electronic structure. The formation of this unique structure is explained by arenium ion mediated 1,2-phenyl migration and a naphthalene to azulene rearrangement reaction according to an in-silico study. This report represents the first experimental example of the thermodynamically unfavorable naphthalene to azulene rearrangement and may lead to new azulene-based molecular materials.  相似文献   
8.
采用微波辅助法制备了氧化铜(CuO)材料,其结晶度好,没有杂质,呈现片层堆叠而成的块状结构.以CuO材料修饰玻碳电极作为工作电极(CuO/GCE),饱和甘汞电极作为参比电极,铂丝电极作为对电极,在碱性条件下对葡萄糖溶液进行电化学性能检测.该传感器对520 nM到2.0 mM浓度范围内的葡萄糖溶液实现了优良的检测性能,灵敏度为2491.362μA·cm-2·mM-1,检测限为216 nM(S/N=3),在2 s内就可以完成反应.丙烯酸等物质对传感器的影响可以忽略,具有良好的抗干扰性.  相似文献   
9.
Three‐dimensional (3D) nanometal films serving as current collectors have attracted much interest recently owing to their promising application in high‐performance supercapacitors. In the process of the electrochemical reaction, the 3D structure can provide a short diffusion path for fast ion transport, and the highly conductive nanometal may serve as a backbone for facile electron transfer. In this work, a novel polypyrrole (PPy) shell@3D‐Ni‐core composite is developed to enhance the electrochemical performance of conventional PPy. With the introduction of a Ni metal core, the as‐prepared material exhibits a high specific capacitance (726 F g?1 at a charge/discharge rate of 1 A g?1), good rate capability (a decay of 33 % in Csp with charge/discharge rates increasing from 1 to 20 A g?1), and high cycle stability (only a small decrease of 4.2 % in Csp after 1000 cycles at a scan rate of 100 mV s?1). Furthermore, an aqueous symmetric supercapacitor device is fabricated by using the as‐prepared composite as electrodes; the device demonstrates a high energy density (≈21.2 Wh kg?1) and superior long‐term cycle ability (only 4.4 % and 18.6 % loss in Csp after 2000 and 5000 cycles, respectively).  相似文献   
10.
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,本文研究了高压对β-InSe弹性常数、机械性能和电子结构的影响.在0~20 GPa范围内,随着压力的增大,β-InSe的晶格常数、晶胞体积逐渐减小,结构参数a/a_0、c/c_0、V/V_0单调减小.在0~12 GPa范围内,弹性模量G、E、B和泊松比v随着压力增大而增大,在16 GPa时大幅减小,G、E、B分别减小了34.9%、53.3%、82.9%.随着压力增大,Se-In和In-In原子之间的电荷密度增大,Se-In原子之间的共价键增强,层间距减小.而且,β-InSe在20 GPa时带隙消失,发生了半导体向半金属的相变.  相似文献   
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