急冷Al-lat%Ge过饱和固溶体合金的正常-超导转变特性

本文研究了急冷Al-1at%Ge过饱和固溶体合金的结构和正常-超导转变特性。X射线结构分析表明,样品为单一的过饱和α-Al(Ge)固溶体。电阻-温度测量指出,急冷过饱和α-Al(Ge)合金的T_c≈1.44K,高于纯Al的T_c。 关键词：     

用于液氦温区离子注入的低温装置

本文报道一种用于液氦温区离子注入的低温装置。利用它可以在T<10K的低温条件下进行离子注入,并就地进行1.7—300K的电阻测量。作为应用实例,给出了Al/Si多层膜低温离子束混合的实验结果。实验表明,装置的建立为研究亚稳或非晶材料的超导电性及其他低温性质,提供了一种有力的手段。     

由隧道电子谱微分电导极大值确定超导体能隙的新方法

本文给出一种确定超导体能隙的新方法,由隧道理论计算出V_max/kT与Δ/kT的关系曲线,微分电导极大值电压V_max由隧道电子谱测定,由V_max/kT值及上述曲线很容易计算出能隙Δ值。这种方法很简单,而准确度几乎接近于曲线拟合法。 关键词：     

Pb-Sb合金脱溶过程对超导临界特性的影响

1961年Kunzler等人发现:Nb_3Sn,Nb-Zr等超导体在强磁场中临界电流密度jc仍然很大,可供制备获得强场的超导体磁体使用。 Mendelssohn曾将硬超导体临界磁场的增大,归源于样品内部存在尺寸很小的超导“系”。Kunzler将超导“系”和位错线联系起来,并且认为,他所观察到的高jc值是由于样品内部位错线密度很大。另一方面,却又把硬超导体当作均匀介质处理,他从理论出发,用负界面能效应来解释超导合金的反常磁行为。     

宏观量子现象──超流动性

1868年8月18日,Lockyer和 Janssen分别在印度和马来亚观察日全蚀,从太阳的发射光谱中发现了浅黄色的5876A线.他们猜测这是地球上尚未发现的一个新元素的谱线,并称它为Helium(氦). 1895年,Ramsay在地球上也找到了氦,主要在铀矿中.大气中氦的体积仅占10-6-10-5,是稀有气体. 1908年,荷兰Leiden实验室的昂内斯液化了最后一个“永久气体”──He气.最常见的He的同位素是He4,其沸点是4.215K,是当时所有气体中沸点最低的.(后来发现He3的沸点是3.19K,He3也有超流特性,但机制与He4不同).氦气的成功液化,开创了低温物理这一新的研究领域. 一、液…     

液氮温度下Si~ 离子注入对急冷Al-Si-Ge合金超导电性的影响

本文报道,在液氮温度下Si~ 离子注入对急冷Al-Si-Ge合金超导电性的影响。结果表明,经低温离子注入后的样品,存在一个T_c更高的超导转变。     

超导金属玻璃Zr78Co22中局域的有阻态

本文系统地研究了在无外磁场时,超导金属玻璃Zr₇₈Co₂₂的I-V特性。观察到电流引起的由超导态向正常态的转变是以阶梯跃变的方式完成的。阶梯的出现是局域的,且与电流扫描速率有关。分析表明,有阻态阶梯的出现,是由于材料本身的不均匀性而导致热斑出现的结果。一维热流方程可以用来描述金属玻璃Zr₇₈Co₂₂局域的有阻态,但必须计及各热斑间的相互作用和样品本身的自吸热等效应。 关键词：     

纵向磁场中超导金属玻璃Zr78Co22的载流电阻态

在低于T_c较远的温度下,发现金属玻璃Zr₇₈Co₂₂带在纵向磁场中的I-V和H-V特性曲线上存在着两类电压跃变阶梯。与以往在准一维或准二维均匀超导体中发现的I-V曲线上出现阶梯结构的条件和特点作了系统的比较,综合应用超导相分离模型和由热涨落诱发的相位滑移中心的概念解释了所观察到的现象。 关键词：     

La-Sr-Cu-O体系的半导体-金属转变和超导电性

制备了名义组分为La_(5-x)Sr_xCu_5O_3(3-y)(x=0.5,0.75,1.0.1.25,1.5)的多晶样品,测量了5—150K的电阻温度关系,并选择部分样品做了光电子能谱分析。结果发现,在相同的制备条件下,随组分的变化,该系统经历了超导体-半导体-金属(超导体)转变。通过与BaPb_(1-xBi_xO_3)系统类比对结果进行了计论。     

Nb3Sn正常-超导转变时的比热反常

在16.0°K—20.3°K之间测量了Nb₃Sn样品的热容量。Nb₃Sn在临界温度附近的比热跳跃值ΔC=2.21(±5％)焦耳/克分子·度。样品的临界温度T_c=17.88°K,转变宽度ΔT_c≈0.2°K。ΔC值利用热力学关系式确定了Nb₃Sn在0°K时的热力学临界场H₀=5300奥斯特。利用本文的结果和文献上关于热膨胀系数的跳跃值Δα及?T/?P值验证了热力学关系式。扼要地描述了比热测量装置.