As+注入硅的紫外-可见椭圆偏振光谱

本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×10¹⁶—3×10¹²cm^-2的As⁺注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As⁺注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε₂-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε₂-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。 关键词：     

；As+注入硅的紫外-可见椭圆偏振光谱

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溅射无定形硅的紫外-可见椭圆偏振光谱和光学常数

利用作者试制的紫外-可见椭圆偏振光谱仪研究了溅射无定形硅薄膜的光学性质,获得了不同氢分压制备的无定形硅在紫外至可见光谱范围内的n～λ、k～λ等关系,并对结果进行了讨论.