氢敏感钯栅MOS电容

本文介绍了钯栅MOS电容的制作工艺及其对氢敏感的工作原理。采甩高频C—V特性测试法,得到了钯栅MOS电容在吸附氢原子前后的C—V曲线,结果表明,这种元件对氧具有较强的敏感性。最后,对影响结果的一些可能因素进行了简单的讨论。     

硅芯片多层薄膜折射率的测量

本文介绍一种测量透明薄膜折射率的“磨角—干涉”法。根据光干涉原理,推导了薄膜折射率的表达式n=1+△N1/△N2。此法可用于测量半导体器件和大规模集成电路芯片中的单层或多层膜的折射率。