硫在疏质子介质中电化学还原机理的研究 II: 第二步氧化还原过程的研究

用电化学方法研究了硫在DMSO溶剂中的第二步氧化还原过程. 该过程在扫速大于200mV/s时表现为简单的电子转移过程; 扫速小于200mV/s时转化为ECE机理. 发现了S8^4^-, S3^2^-, S4^2^-的氧化峰, 峰电位分别为 -1.50, -0.96, -0.60(相对于银参比电极), 对S8^2^-/S8^4^-电对测定了标准电极电位和标准速率常数, 分别是-1.547±0.002V(相对于银参比电极)和3.3×10^-^3cm/s.     

硫在疏质子介质中电化学还原机理的研究 I: 第一步氧化还原过程的研究

本文用电化学方法研究了硫在DMSO溶剂中第一步氧化还原过程的机理, 发现这个过程不是一个简单的双电子过程, 提出了更为合理的EEC机理, 数字模拟也表明该机理是可能的, 并从2.5次微分谱上发现了S6(II)的氧化峰, 其峰电位为-0.29V(相对于银电极). 还计算了该体系的某些动力学参数值.     

硫在疏质子介质中电化学还原机理的研究 Ⅱ.第二步氧化还原过程的研究

用电化学方法研究了硫在DMSO溶剂中的第二步氧化还原过程,该过程在扫速大于200mV/s时表现为简单的电子转移过程;扫速小于200mV/s时转化为ECE机理,发现了S_8~(4-),S_3~(2-),S_4~(2-)的氧化峰,峰电位分别为-1.50,-0.96,-0,60(相对于银参比电极)。对S_8~(2-)/S_8~(4-)电对测定了标准电极电位和标准速率常数,分别是-1.547±0.002V(相对于银参比电极)和3.3×10~(-3)cm/s。     

硫在疏质子介质中电化学还原机理的研究 Ⅰ.第一步氧化还原过程的研究

本文用电化学方法研究了硫在 DMSO 溶剂中第一步氧化还原过程的机理,发现这个过程不是一个简单的双电子过程,提出了更为合理的 EEC 机理,数字模拟也表明该机理是可能的,并从2.5次微分谱上发现了 S_6~(2-)的氧化峰,其峰电位为-0.29V(相对于银电极).计算得该体系的某些动力学参数值为:α_1=0.5,β_2=0.25,K°_(f1)=8.2×10~(-5)cm·s~(-1),k°_(b2)=3.5×10~(-5)cm·s~(-1)(电位零点-0.851V)D_(s_8)=5.6×10~(-6)cm~2·s~(-1),D_(s_6~(2-))=8.4×10~(-6)cm~2·s~(-1).     

恒电位库仑法研究硫在有机溶剂中的还原过程

实验证明,第1步还原E_(1/2)=-0.96V(文中所有的电位均相对于Ag参比电极);第2步E_(1/2)=-1.56V。该体系的特征是伴随的均相反应具有较低的速率常数,在一般的循环伏安法扫描时间内很难觉察到均相反应的进行。若采取时间窗较长的实验方法,将有利于观察伴随均相反应的动力学效应。恒电位库仑法时间域约为100～     

控制卷积量变化的电化学方法研究(Ⅰ)——简单电极反应

本文提出了一种控制卷积量变化的实验方法。对简单电极反应进行了理论处理,得到了恒半积分法、半积分扫描法、半微分扫描法的理论方程,并对3个体系进行了实验验证,结果与理论分析基本吻合。