电化聚合聚吡咯的角分布X射线光电子能谱研究

用角分布Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测试和样品原位加热相结合的方法研究了阴离子是对甲苯磺酸根的电生导电聚吡咯的化学和聚集态结构．其结果表明聚吡咯表面约几个原子层内原子的相对浓度依下述次序递减：Ｃ＞Ｏ＞Ｓ＞Ｎ；导电聚吡咯中的氮原子至少有吡咯氮和氧化态氮两种；在２００℃加热以后聚合物链不受影响，但阴离子向表面迁移，同时氧化态氮大大减少．     

成像X射线光电子能谱定量分析研究

探索了直接用实验测得的XPS图像强度来做元素或化学态相对定量分析的可能性。以AgCl和Na2S2O3样品为例，实验结果表明：XPS图像强度与成像时间有良好的线性关系，根据图像强度对两种元素或化学态进行相对定量是可能的。     

K-Pb-Tl-O复合氧化物的合成和电子结构的XPS研究

用熔盐阳极电沉积法合成了导电的复合氧化物K-Pb-Tl-O晶体.这些晶体具有纳米尺寸层状结构.用XPS对其进行了表征,并与相关的化合物进行了比较.实验表明,氧化物中的Pb和Tl都以高价态的单一价态存在,但电子结合能比相应的非导电低价化合物的低.该文用原子外弛豫效应解释了复合氧化物中的Pb和Tl的结合能的反常现象.讨论了它们的价电子结构与导电性的关系.     

导电高分子膜包覆YBa2Cu3O7超导体抗环境作用的研究

通过电化学途径和化学途径在ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７超导体表面制备了导电高分子聚吡咯膜，用以保护超导体不受环境作用的影响，实验结果发现电化学过程能破坏ＹＢａ＿２Ｃｕ＿Ｏ＿７的超导性，而采用化学法制备的聚吡咯和聚氯乙烯混和材料包覆在ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７表面后，超导体不仅保持原有超导性，而且有很好的保护超导体免遭环境中酸和水作用的能力。     

Ba-K-Bi-O超导体熔盐阳极电结晶研究

用ＸＰＳ和ＸＲＤ表征了Ｂａ－Ｋ－Ｂｉ－Ｏ超导体熔盐电结晶的阳极和阴 极产物，用ＳＥＭ分析了Ｂａ－Ｋ－Ｂｉ－Ｏ单生长形态。结果表明，阳极产物是Ｂａ－Ｋ－Ｂｉ－Ｏ超导体单晶，以台阶式方式生长。－Ｋ－Ｂ－     

Bi-Sr-Ca-Cu-O超导体与氧化物衬底材料的反应性估计

测定了一系列氧化物的电子结合能，显示了铋系超导体与二元氧化物衬底材料的化学反应性可以用固态酸碱反应理论来描述，其反应性大小除了可以用衬底氧化物的酸碱参数估计以外，还可以用衬底氧化物氧离子的内层电子结合能估计．     

XPS分析中使用样品磁透镜引起的谱峰位移和峰形畸变

发现当使用Mg/Al双阳极和样品磁透镜进行非导电样品（或与样品托绝缘的导电样品）的X射线光电子能谱分析时，谱峰出现异常大的位移和谱形出现畸变；在同时使用电子中和枪时谱峰位移变小，当导电样品与样品托有良好的电接触时谱峰位移消失；作者提出这种异常大的位移来自样品荷电效应，后者是由于样品磁透镜的磁场与来自X射线枪A1窗的低能杂散电子发生了相互作用并使这些杂散电子不能到达样品表面起中和作用所致。     

高温超导体的Cu-O键型和氧上的部分电荷

多数钙钛矿型化合物是离子型绝缘体，而高温超导化合物则有金属电性，它们是以什么键型为主？对此等人[1]认为用共价或金属成键图像描述高温超导体在化学上更合理，Nepela等人[2]指出超导体临界温度（Tc）随阴离子平均电负性与阳离子平均电负性之差增大而升高．这意味着离子性较强的超导体有较高的人．杨频等问运用晶型键参数方法估算结果表明高温超导体属干部分离子性与部分共价性键．以上不同的结果都是基丁理论处理或估算得到的·本文试图在实验上通过比较不同成键特征的铜化合物的x光电子能潜（＊P8）来估计对高温超导性起重要作用的C…     

Ba-K-Bi-O和Ba-K-Pb-O氧化物的碘量滴定

本文提出了碘量法滴定Ba－K－Bi-O和Ba－K－Pb－O氧化物中Ba和Pb的名义价态，然后据此计算这些氧化物中K和Ba含量的方法。该法适用于正常条件下合成的具有ABO3型钙钛矿结构的Ba－K－Bi-O和Ba－K－Pb－O晶体。用本法的滴定结果表明，Tc为31K的Ba－K－Bi-O超导体的K含量为0．4，当K含量减少时，Tc随之下降。     

低能离子散射谱分析中的荷电效应及中和作用

用低能离子散射谱（ISS）对比分析了与样品托有良好电接触的和与样品托绝比的金属银片，观察到荷电效应对ISS分析有严重影响。实验还表明在ISS分析时使用低能电子中和枪可以有效地消除荷电效应，还发现电子中和枪的使用对于惰性气体离子的中和作用无明显影响。