逐步增加的Ⅱ型截尾下系统可靠性的Bayes分析及寿命预测

在逐步增加的型截尾模型下,研究部件寿命服从双参数指数分布的冷贮备串联系统可靠性指标的Bayes估计及单样本场合未来观测值的预测问题.在两个参数均未知的情形下,分别在平方损失(SE)、LINEX损失和熵(General Entropy,GE)损失函数下给出两个参数及可靠性指标的Bayes估计,对于超参数的确定,给出一种新的方法;并讨论了单样本场合未来观测值的预测问题,给出预测分布及预测区间;最后利用随机模拟方法进行比较,并对结果进行了讨论.     

逐步增加的Ⅱ型截尾下冷贮备串联系统可靠性指标的Bayes估计

在逐步增加的Ⅱ型截尾模型下,运用Bayes方法,研究部件寿命服从双参数指数分布的冷贮备串联系统可靠性指标的近似置信区间问题.在两个参数均未知的情形下,给出了失效率,系统可靠度及平均寿命的Bayes近似置信区间的计算公式;对于超参数的确定,给出一种新的方法;最后进行了随机模拟,并对近似置信区间的精度进行了讨论.     

Bi_2S_3纳米带的制备及其谱学性能研究

以硝酸铋、硫代乙酰胺和氨三乙酸等为原料,利用水热法在180℃下反应12h得到Bi2S3纳米带.X射线粉末衍射结果表明产物对应于正交晶相的Bi2 S3(JCPDS:17-320),晶胞参数为a=1.110 6 nm,1,b=1.099 3 nm,c=O.389 2 nm,与文献报道值(a=1.114 9nm ,b=1.1304 nm,c=O.3981 nm)基本一致;通过透射电镜观察其形貌为均匀的带状,宽约100 nm;高分辨透射电镜照片显示晶体沿y轴优先生长;通过对x射线光电子能谱分析得到Bi和S的原子个数比例约为2:3,与目标产物Bi2 S3的计量比一致;测试显示Bi2S3纳米带的拉曼吸收峰出现在195 cm-1处,与块体Bi2s3(236 cm-1)相比,其吸收峰红移了41 cm-1,体现了纳米材料的表面效应.紫外-可见吸收光谱研究发现Bi2S3纳米带在450nm左右有吸收,计算得到Eg约为1.58 eV(块体Bi2S3的巨为1.3 eV),在光电领域有潜在的应用价值.