组态相互作用对Fe^4＋不同跃迁系的影响

应用相对论组态相互作用方法，对Fe^4＋离子进行大规模组态相互作用的计算．对辐射跃迁几率（振子强度）的研究结果表明：组态相互作用对不同跃迁系的影响有很大的差异．对文献中报道比较多的3p^63d^34p→3p^63d^4跃迁系，影响较小；而对3p^53d^5→3p^63d^4和3p^53d^34f→3p^63d^4等跃迁系，影响非常强烈．目前的研究现状表明，对后两个跃迁系，并没有得到收敛的结果，有待于进一步的研究．     

电子相关对Xe10+离子4d8-4d75P跃迁系跃迁概率的影响

应用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,对Xe10 离子进行了理论计算,获得了跃迁波长和概率等数据.通过逐步引入4dn-5p(n=1,2,3)电子相关的相互作用组态,重点研究了电子相关效应对4d8-4d75p跃迁系跃迁概率的影响.结果显示电子相关效应显著,表明了欲得到精确的4d8-4d75p的振子强度(跃迁概率)数据,理论计算中至少要包括到4d2-5p2的电子相关组态的影响.与实验测得的跃迁波长比较发现,理论结果与之有着较好的一致性;同时理论跃迁概率在两种规范下的结果符合得相当精确,显示了计算结果的可靠性.     

组态相互作用对Fe4+不同跃迁系的影响

应用相对论组态相互作用方法,对Fe4 离子进行大规模组态相互作用的计算.对辐射跃迁几率(振子强度)的研究结果表明:组态相互作用对不同跃迁系的影响有很大的差异.对文献中报道比较多的3p63d34p→3p63d4跃迁系,影响较小;而对3p53d5→3p63d4和3p63d34f→3p63d4等跃迁系,影响非常强烈.目前的研究现状表明,对后两个跃迁系,并没有得到收敛的结果,有待于进一步的研究.     

Xe^10＋离子EUV发射谱的理论研究

利用组态相互作用方法和扭曲波近似方法系统地计算了Xe^10＋离子的能级、振子强度、辐射跃迁速率以及电子碰撞强度，用得到的原子参数模拟了冕平衡条件下Xe^10＋离子EUV（Extreme Ultra-violet）波段（5-20nm）的发射谱，发射谱的波长位置和相对强度与实验结果符合得较好．研究表明：在较宽的等离子体条件范围内，发射谱的相对强度对温度和密度不敏感.     

Debye屏蔽对碳等离子体电荷态丰度分布的影响

基于组态相互作用方法,使用Debye模型研究了等离子体屏蔽效应对碳离子结构和不同电荷态离子丰度分布的影响.以类氦碳离子(C V)的1s_(1/2)~2→(1s_(1/2)ns_(1/2))_1(n=2,3,4,5)磁偶极(M1)跃迁为例,详细研究了Debye屏蔽因子对跃迁几率的影响.研究了离子丰度分布随屏蔽因子的变化,结果表明在相同的等离体温度和密度条件下,考虑了屏蔽效应的离子丰度分布整体向低电离度的离子偏移,平均电离度降低.     

类锂离子KLL双电子复合过程研究

采用相对论扭曲波方法,理论研究了高离化态类锂离子I~(50+)、Ho~(64+)、Bi~(80+)的KLL双电子复合过程,得到了双电子激发态的共振能量和双电子复合截面,利用自电离和辐射跃迁速率,得到了对应谱线的总宽度,并与已有的理论和实验结果进行了对比,理论较好地解释了最近的实验结果.     

学习中的“有用”和“没用”——我的“甘蔗”理论

有同学在学习中常常困惑于所学内容是否"有用",是否对考试、对今后的工作"有用"。那些与考试无关的内容是否是"没用"的。这与当前应试教育的习惯和浮躁的学习心态有关。本文针对物理学的学习讨论了学习中"有用"和"没用"的关系。在教学中,给予学生的应该是一根甘蔗,要引导学生自己去咀嚼品味,通过讨论课等形式培养学生广泛的学习兴趣,为学生创造良好的学习氛围。     

极端远紫外光刻的等离子体光源及其光学性质研究进展

现代技术的飞速发展需要集成电路不断小型化，因而开发下一代光刻光源以满足小型化的要求成为当前的一项紧迫任务。目前工业界确定的下一代光刻光源是波长为13．5nm的极端远紫外（EUV）光源，它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸，氙和锑材料的等离子体光源被认为是这种光源的最佳候选者。文章在介绍EUV光刻原理和EUV光源基本概念的基础上，讨论了目前研究得最多、技术最成熟的激光产生的和气体放电产生的等离子体EUV光源，对EUV光源的初步应用进行了简单介绍，并着重对氙和锑材料产生的等离子体发射性质和吸收性质的实验与理论研究进展进行了详细介绍与讨论。目前的理论研究进展表明，统计物理模型还不能很好地预测氙和锑等离子体的发射与吸收光谱，因此迫切需要发展细致能级物理模型，以得到更为精确的等离子体光学性质参数，并用于指导实验设计。提高EUV转换效率。     

电子相关对Xe10+离子4d8—4d75p跃迁系跃迁概率的影响

应用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,对Xe¹⁰⁺离子进行了理论计算,获得了跃迁波长和概率等数据.通过逐步引入4dⁿ—5pⁿ(n=1, 2, 3)电子相关的相互作用组态,重点研究了电子相关效应对4d⁸—4d⁷5p跃迁系跃迁概率的影响.结果显示电子相关效应显著,表明了欲得到精确的4d⁸—4d⁷5p的振子强度(跃迁概率)数据,理论计算中至少要包括到4d²—5p²的电子相关组态的影响.与实验测得的跃迁波长比较发现,理论结果与之有着较好的一致性;同时理论跃迁概率在两种规范下的结果符合得相当精确,显示了计算结果的可靠性. 关键词： 多组态Dirac-Fock(MCDF)方法 电子相关 跃迁概率     

Xe10+离子EUV发射谱的理论研究

利用组态相互作用方法和扭曲波近似方法系统地计算了Xe10 离子的能级、振子强度、辐射跃迁速率以及电子碰撞强度.用得到的原子参数模拟了冕平衡条件下Xe10 离子EUV(Extreme Ultra-violet)波段(5~20nm)的发射谱,发射谱的波长位置和相对强度与实验结果符合得较好.研究表明:在较宽的等离子体条件范围内,发射谱的相对强度对温度和密度不敏感.