退火对ZnO薄膜晶体结构和ZnO/p-Si异质结光电性质的影响

采用脉冲激光沉积方法在p-Si(100)衬底卜牛长ZnO薄膜,分别在500℃、600℃和700℃下真空退火,采用X射线衍射仪研究了退火对ZnO薄膜品体结构的影响,并测量了ZnO的面电阻和ZnO/p-Si异质结的、I-V特性曲线.研究表明,随着退火温度的升高,ZnO的(002)衍射峰强度逐渐增大,半峰全宽不断减小,同时薄膜内应力减小,ZnO晶粒尺寸变大.表明高温退火有助于ZnO薄膜结晶质量的提高.在没有光照的条件下,异质结的漏电流随退火温度的增加而增大;用650 nm光照射样品时,600℃退火的样品表现出最明显的光电效应,而过高的退火温度会破坏ZnO/p-Si异质结的界面结构,使其光电流变小.所以,要得到性能良好的光电器件,应选取适当的退火温度.     

大气压随高度变化的实验验证

大气压随高度的增加而减小,但在初中的教学中,如何用实验来验证呢?我们可以做这样一个简单的实验。取一个完好的暖瓶,在瓶口的橡皮塞子中穿一根弯成“■”形两端开口的细玻璃管,并在玻璃管的一侧固定一白色的背景屏,如图所示。用胶头滴管在玻璃管的水平     

催化光度法测定人发样品中痕量硒(Ⅳ)

在0.025mol·L~(-1)硫酸介质中,90℃水浴加热12min时,痕量硒(Ⅳ)对溴酸钾氧化碱蓝褪色反应有显著的催化作用,提出了催化光度法测定痕量硒(Ⅳ)的方法。该催化反应对碱蓝是假零级反应,对硒(Ⅳ)是假一级反应,催化反应和非催化反应的表观活化能分别为46.13,65.16kJ·mol~(-1)。硒(Ⅳ)的质量浓度在40μg·L~(-1)以内与△A呈线性关系,检出限(3s/k)为2.75×10~3μg·L~(-1)。方法用于人发样品中硒(Ⅳ)量的测定,测定结果与石墨炉原子吸收光谱法测得的结果相符。     

聚苯胺的“绿色”合成

以硫酸铁为氧化剂 ,用化学法合成了聚苯胺。在不同浓度的硫酸溶液中 ,苯胺的现场可见光谱表明 ,72 0nm处的吸收峰首先形成 ,它的吸收度随反应时间而增加 ;然后 52 0nm的吸收峰慢慢形成。 72 0nm的聚苯胺在水溶液中具有低的溶解度 ,它的溶解度与苯胺聚合时所用酸的浓度有关。然而 ,52 0nm的聚苯胺能完全溶于水中。具有深色的聚苯胺溶液造成环境的污染。聚苯胺的红外光谱和循环伏安图受使用在苯胺电化学聚合中的硫酸浓度的影响。“绿色”合成聚苯胺的最佳条件是溶液的组成为 0 2mol·dm-3 苯胺、0 1mol·dm-3 硫酸铁和 0 2mol·dm-3 硫酸 ,以及温度控制在 1 5℃以下     

盐助溶液燃烧法提高LaCoO_3的光催化活性

目前,钙钛矿型催化剂以其特殊的结果和较好的催化性能(光响应延伸至可见光区)在光催化领域成为国内外研究的热点.     

ZnO/P-Si异质结的光电特性研究

利用脉冲激光沉积方法在P-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,制备ZnO/P-Si异质结,研究衬底温度对异质结光电特性的影响.结果表明,在400℃,500℃,550℃和600℃下生长ZnO制备的异质结都有一定的整流特性,反向暗电流随着衬底温度的升高略有增加,在550℃下制备的样品具有最明显的光电效应.ZnO/P-Si异质结对可见光和紫外光呈现出不同的响应性.在可见光照射下,光电流随反向偏压急剧增大,偏压增大到某一值时,光电流增速变小,而在紫外光下,光电流有逐渐增大的趋势.根据ZnO的透射谱认为,可见光和紫外光是异质结不同的耗尽区诱导电子-空穴对产生光电流的.