排序方式: 共有17条查询结果,搜索用时 17 毫秒
1.
基于四层等离子激元结构(硅-金-硅-二氧化硅),通过在金属层中构造不同的椭球孔阵列,提出了两种不同结构的光学漏波天线,分别为一维对称锥形结构和二维对称锥形结构.基于天线理论和有限元方法,对天线的物理特性进行数值研究。研究结果表明:当工作波长为1 550nm时,这两种光学漏波天线带宽都为80THz(包含了S+-L+波段);当在天线端口处分别填充空气和氮化硅的时候,天线有较低的回波损耗和插入损耗,但对于两种不同的填充物,天线的特性表现出一些差异,例如,在一维对称结构中,天线端口处填充氮化硅时,天线有更少的回波损耗和插入损耗,更低的旁瓣电平,以及更好的方向性.该天线可用于光学集成互连、高度集成的光束控制和空间光通信中. 相似文献
2.
基于外部光注入的光泵浦自旋垂直腔表面发射激光器(vertical cavity surface-emitting laser,VCSEL)的两个混沌偏振分量,提出了对两个复杂形状目标中的多区域精确测距方案.这里,两个混沌偏振探测波具有飞秒量级快速动态并且被双极性sinc波形调制,使它们具有时空不相关特性.利用这些特性,通过计算多束延时反馈混沌偏振探测波形和与之相对应的参考波形的相关性,实现了对两个复杂形状目标多区域位置矢量精确测量.研究结果表明,对多区域小目标的测距具有非常低的相对误差(低于0.94%).当光电探测器的带宽足够大时,其测距的分辨率达到0.4 mm,并具有很强的抗噪声能力.本文的研究结果在复杂形状目标的精确测距方面具有潜在应用. 相似文献
3.
针对主和副垂直腔表面发射激光器构成的外部注入激光器系统的偏振转换及其非线性动力学行为, 利用周期性极化铌酸锂晶体中准相位匹配线性电光调制, 本文提出了一种新的操控方案并且探索了其控制规律. 研究结果发现, 受到平行光注入或正交光注入的副激光器输出偏振度随外加电场成周期性振荡变化, 其振荡波峰轨迹包络曲线为正弦曲线, 而振荡波谷轨迹包络曲线为余弦曲线; 选取一定的主激光器偏置电流, 通过对来自主激光器的光进行电光调制, 受到两种方式注入的副激光器可以输出任意偏振模, 并且其非线性动力行为经历不同的演变. 另外, 副激光器的偏振度仅依赖于外加电场, 与副激光器的偏置电流无关. 相似文献
4.
5.
基于周期性极化铌酸锂晶体的线性电光效应耦合波理论,数值研究了电光调制对外部光反馈垂直腔表面发射激光器(VCSEL)输出矢量混沌偏振模的操控.研究结果表明,VCSEL输出的偏振度随着电光晶体的长度或施加于电光晶体的外电场强度成周期性转换,控制一定的施加外电场强度和晶体的长度,激光器的不同参数下引起初始混沌偏振态都可以转换为其他任意混沌偏振态.特别是合理选择一定的施加外电场强度或晶体长度,VCSEL输出的任意混沌偏振模可以转换为完全一致的两线性混沌偏振模(x和ŷ偏振),即两线性混沌偏振模的能量能够达到稳定和完全均衡. 相似文献
6.
根据准相位匹配线性电光效应耦合波理论,基于单个周期性极化铌酸锂晶体,提出了外电场可控的电光复合与门、或门的逻辑计算方法.采用级联周期性极化铌酸锂晶体,探讨了外电场可控的电光复合逻辑异或门、半加法器、半减法器的逻辑计算方法.在外加电场分别为0.184KV/mm和0.368KV/mm条件下,分析了光波的波长、方位角和极角、晶体的温度对逻辑输出的影响.研究结果表明,基本逻辑门的逻辑计算能够成功实现,但其逻辑计算对光波波长、晶体温度、方位角和极化角非常敏感,这些参量轻微的变化会导致逻辑输出的改变.该方案可推广到更为复杂的基本逻辑门以及三个以上逻辑输入与输出的基本逻辑门中. 相似文献
7.
利用耦合模方程,分析了基于λ/4相移分布反馈半导体激光器四波混频的波长转换特性.数值模拟表明:增大偏置电流、减小失谐量有利于扩展转换效率及消光比的动态范围,同时恶化了频率啁啾的动态范围; 受激射效应影响,消光比及频率啁啾在弛豫振荡频率处达到极大值.通过合理选择系统参量,可以获得较理想的波长转换效果.该方案无需抽运光输入,可实现高速、宽带波长转换,在光通信系统中有一定的应用前景.
关键词:
λ/4相移分布反馈半导体激光器')" href="#">λ/4相移分布反馈半导体激光器
四波混频
波长转换 相似文献
8.
针对一种新型的双信道光混沌通信系统实验方案,建立了描述其工作特性的理论模型;通过 数值模拟结果与报道的实验结果的比较,证实了该理论模型的合理性. 利用该模型,基于小 信号微扰理论,推导出了激光器传输函数的表达式;研究了信号能在系统中很好传递对系统 参量的要求;定量地分析了信道干扰对系统同步性能的影响. 对250MHz的调制信号在系统中 的传输和解调进行了数值研究,结果表明,信号在传输过程中能得到很好的隐藏,且在输出 端易于解调.
关键词:
光混沌通信
双信道
传输函数
信道干扰 相似文献
9.
10.