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对以本征Si及重掺杂p型和n型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究,并通过退火,增大Fe,Si之间的扩散,分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明,层状结构良好的制备态的多层膜,Fe,Si之间也存在一定程度的扩散,它是影响层间耦合的 主要因素,远远超过了半导体意义上的重掺杂,使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现,在一定范围内增大Fe,Si之间的扩散,即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化,Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变.
关键词:
Fe/Si多层膜
层间耦合
界面扩散 相似文献
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本文系统地报道单辊液淬方法制备FeTmB(Tm=Ti,V,Cr,Mn,Zr,Nb,Mo,Ta,W)非晶态合金的磁性,讨论了3d,4d,5d元素的加入对非晶态FeB合金的磁矩和居里温度的影响。实验结果表明在非晶态FeTmB合金系中Fe原子磁矩都在2.0μB左右。Tm原子在非晶态Fe基合金中比在相应的晶态合金中显示更强的局域特性。Tm原子的磁矩与元素的外层电子数有关,IVB(Ti),VB(V),VIB(Cr),VIIB(Mn)族原子的磁矩分别约为4,5,4,3μB,Tm的磁矩与铁原子磁矩反平行耦合。合金磁矩随Tm含量的变化率dμ/dx与混合模型的计算值相符合。用虚拟束缚态讨论,得到IVB(Ti),VB(V)族元素的虚拟束缚态在费密面以上,VIB(Cr),VIIB(Mn)族元素的虚拟束缚态与费密面交迭。
关键词: 相似文献
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研究了(Fe1-xWx)84.5B15.5(x=0—0.1)非晶态合金的电阻率ρ与温度T(4.2—300K)的关系。实验结果表明,在所研究浓度区域内均出现电阻率与温度关系的极小值,电阻率极小值的温度Tmin在x=0.06时出现峰值。用x=0.02—0.1浓度区域内,当Tmin时,又出现了电阻率与温度关系的极大值,电阻率极大值的温度Tmax在26—35K之间。低温电阻率反常现象与类Kondo效应及局域磁矩之间RKKY相互作用有关。
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2005年是我国著名物理学家施汝为院士诞辰105周年和陆学善院士诞辰100周年,为缅怀二位物理学界老前辈的重要贡献和卓越品质,本刊约请赵见高研究员撰写《中国现代磁学事业的开创者之一——施汝为院士》一文、同时征得作者和科学出版社总编室的同意,转载梁敬魁院士为《中国现代科学家传记(第三集)》一书(1992年科学出版社出版)撰写的《陆学善先生传略》一文,题目改为《纪念陆学善先生诞辰100周年》。 相似文献
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讨论了三种新型非对称Schiff碱3,4-二羟基苯甲叉单草酰胺肟,2-羟基苯甲叉单草酰胺肟和苯甲叉单草酰胺肟的1H NMR谱,并给出这三种化合物的活泼氢的归属. 相似文献
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57Fe M?ssbauer spectra have been obtained at room temperature for (NdDy)TiFe11, and at 11 K and room temperature for the corresponding nitrides (NdDy)TiFe11Ny. The magnetic behaviors of Fe atoms at different sites have been studied. We have found a larger increase of the hyperfine fields upon nitrogenation due to the higher nitrogen content in these compounds and got a bigger enhancement of the isomer shift in 8j site because of the nearest nitrogen environment. 相似文献
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一、前 言 非晶态材料的磁性研究,在二十多年前还是个不引人注目的课题.但自1959年,美国加州理工学院的Duwez教授第一次以每秒一百万度的冷却速率对金属熔滴淬火,得到非晶态金属样品以来[1],就大大丰富了非晶态材料的研究范围.特别是1970年,由于陈鹤寿等发明了用高速转动的双辊 相似文献