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1.
迈克尔逊干涉仪测量液体的折射率及仪器调节方法   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文介绍了用迈克逊干涉仪测量液体折射率的方法,原理简单。在干涉仪导轨上平放一方形玻璃容器,内装待测液体,动镜铅垂地浸没在液体中。通过测出动镜在液体内的移动量及其相应的干涉条纹变化数,就能计算液体的折射率,有较高的测量精度。本文详细分析了干涉仪上分光板的反射光通过空气、玻璃、液体,由反射镜反射后出现的多个反射光点,只有通过对这些反射光点的调节,才能得出干涉条纹并符合计算公式的要求。  相似文献   
2.
在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积非晶SiCx∶H(a SiCx∶H)和非晶Si∶H(a Si∶H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备了晶化纳米a SiCx∶H/nc Si∶H(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜。利用截面透射电子显微镜技术分析了a SiCx∶H/nc Si∶H多层薄膜的结构特性。通过对晶化样品的时间分辨光致发光谱的研究,结果表明:随着退火温度的升高,发光峰位置开始出现一些红移现象;当退火温度为900℃时,样品的发光强度和发光衰减时间分别达到最大值和最小值;随着退火温度的继续升高,发光峰位置又开始出现蓝移现象。由此探讨纳米a SiCx∶H/nc Si∶H多层薄膜的发光特性和发光机理。  相似文献   
3.
BasedonthecrystalstructuredatafromXrayanalysis[1,2]andthespectralpropertiesofeachchromophoreofCPC[3,4],Sauerandcoworkers[5,6]expectedthatthedynamicsofenergytransferprocessesshouldtakeplacewithin10—30pstimescalebetweentwotrimersofCPChexamer.Furthermore,Zhaoandco…  相似文献   
4.
飞秒激光的波长对SiC材料烧蚀的影响   总被引:10,自引:0,他引:10  
利用10倍的显微物镜将近红外飞秒激光脉冲汇聚到宽带隙半导体材料6H SiC的前表面,研究样品的烧蚀及诱导微细结构。用扫描电镜(Scanning electron microscope,SEM)及光学显微镜测量烧蚀斑。利用烧蚀面积与激光脉冲能量的关系确定SiC的烧蚀阈值。给出了SiC样品的烧蚀阈值与飞秒激光波长的依赖关系。实验结果表明,可见光区随波长增加,烧蚀阈值从0.29J/cm2增加到0.67J/cm2;而在近红外区,SiC的烧蚀阈值为0.70J/cm2左右,基本上不随激光波长变化而改变。结合计算结果,可以认为在飞秒激光烧蚀SiC的过程中,在近红外区,光致电离和碰撞电离均起到了重要的作用;而在可见光区,光致电离的作用相对大一些。  相似文献   
5.
研究了不同粒径ZnO纳米颗粒样品(17~300nm)的时间光谱,通过对各粒径样品时间积分光谱的谱带结构进行高斯拟合解迭,发现光子能量位于ZnO谱带低能侧的高斯拟合成份Xc3的荧光中心波长随粒径的减小而红移,同时发光带的寿命也随之缩短.基于ZnO谱带低能侧的高斯拟合峰发光带强烈依赖于ZnO样品粒径的谱带特性,提出了与ZnO禁带内的表面态能级有关,同时研究表明,表面态在尺寸降到一定程度的纳米体系中起着重要的作用.  相似文献   
6.
利用金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA)进行离子束合成,制备了过剂量C^+离子注入到单晶硅衬底的样品。然后利用热退火,在表层制备了连续8-SiC层,形成表层SiC/Si的异质结构。利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)对其成键特征和微结构进行了分析,通过光电子能谱分析(XPS)和原子力显微镜(AFM)分析了样品的成分分布及其表面形貌。最后对其室温下的光致发光特性随热退火的时间和温度的变化进行了研究。结果表明:光致发光谱(PL)表现出430,560nm两个发光峰,分别对应于纳米碳化硅和块状立方碳化硅发光的特征峰。我们认为小颗粒的晶化碳化硅的尺寸及其相对比例对PL发光峰位和强度有较大的影响,用纳米晶粒量子效应(NSUQC)理论和表面态理论对发光现象及其变化规律进行了初步的解释。  相似文献   
7.
a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的室温时间分辨光致可见发光   总被引:1,自引:1,他引:0  
在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积非晶SiCx:H(a-SiCx:H)和非晶Si:H(a-Si:H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备了晶化纳米a-SiCx:H/nc-Si:H(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜。利用截面透射电子显微镜技术分析了a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的结构特性。通过对晶化样品的时间分辨光致发光谱的研究,结果表明:随着退火温度的升高,发光峰位置开始出现一些红移现象:当退火温度为900℃时,样品的发光强度和发光衰减时间分别达到最大值和最小值;随着退火温度的继续升高,发光峰位置又开始出现蓝移现象。由此探讨纳米a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的发光特性和发光机理。  相似文献   
8.
研究了飞秒脉冲经过光子晶体光纤时超连续谱产生的物理机制。采用输出波长可调谐的钛宝石光参量放大器作为泵浦源,光纤光谱仪测量不同泵浦功率和不同泵浦波长条件下光子晶体光纤产生的超连续谱的光谱图,对进行了归一化处理后的不同泵浦功率和不同泵浦波长条件下的超连续谱进行对比,分析影响光子晶体光纤超连续谱差异的物理机制。实验结果表明,当泵浦波长不变时,随着入射泵浦脉冲平均功率的增大,波峰增多,谱宽也逐渐加宽并伴随着出现能量向短波方向集中的现象,泵浦功率到达一定强度时,超连续谱的宽度最后到达饱和,谱的包络趋于稳定;入射光功率稳定在300 mW时,超连续谱的宽度和形状皆受到泵浦波长影响,在760~840 nm范围内,泵浦波长越长,波峰数越多,泵浦脉冲波长离零色散点越近,光子晶体光纤产生的超连续谱谱宽会越宽,超连续谱的形状相对越平坦。  相似文献   
9.
利用皮秒级时间分辨荧光各向同性和各向异性光谱技术对C 藻蓝蛋白六聚体内的能量传递过程进行了比较详细的研究 .从实验上证实 :在孤立的六聚体内 ,连接 2个C PC三聚体的能量通道是由以 1 β15 5 6 β15 5 和 2α84 5α84为代表的两条途径来承担的 ,并且其能量传递的时间分别为 2 0和 1 0 ps左右 ;所探测到一个 45ps左右的时间常数来源于该六聚体内同一C PC三聚体内 3个简并β84 PCB发色团间的能量传递过程 .这些能量传递的作用机制可用F rster偶极 偶极机制来描述  相似文献   
10.
Cubic silicon carbide (SiC) nanowires are synthesized in a catalyst-assisted process. The nanowires with diameter of - 40 nm exhibit strong blue light emission at room temperature under ultraviolet (UV) femtosecond laser excitation. The photon energy of peak emission is higher than the energy bandgap of cubic SiC which shows involvement of quantum confinement effect. The ultrafast fluorescence is deconvoluted by Monte-Carlo method. The results show two ultrafast decay processes whose lifetimes are about 26 and 567 ps respectively. The mechanisms of such ultrafast processes are discussed.  相似文献   
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